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IHD10N60RA	文件：300 bytes Page：1 Pages	Reverse conducting IGBT with monolithic body diode	Infineon 英飞凌	Infineon
IHD10N60RA	文件：829.54 Kbytes Page：12 Pages	Reverse conducting IGBT with monolithic body diode 文件：829.54 Kbytes 页数：12 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
IHD10N60RA	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 600V 20A 110W TO252-3	INFINEON 英飞凌	INFINEON
IKA10N60T	文件：368.11 Kbytes Page：13 Pages	IGBT in Trench and Fieldstop technology with soft, fast recovery anti-parallel EmCon HE diode Low Loss DuoPack : IGBT in Trench and Fieldstop technology with soft, fast recovery anti-parallel EmCon HE diode • Very low VCE(sat) 1.5 V (typ.) • Maximum Junction Temperature 175°C • Short circuit withstand time – 5µs • Designed for : - Variable Speed Drive for washing machines, air con 文件：368.11 Kbytes 页数：13 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
IKA10N60T	文件：515.9 Kbytes Page：13 Pages	IGBT in TRENCHSTOP and Fieldstop technology with soft, fast recovery anti-parallel Emitter Controlled HE diode 文件：515.9 Kbytes 页数：13 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
IKB10N60T	文件：396.81 Kbytes Page：14 Pages	Low Loss DuoPack : IGBT in Trench and Fieldstop technology with soft, fast recovery anti-parallel EmCon HE diode Low Loss DuoPack : IGBT in Trench and Fieldstop technology with soft, fast recovery anti-parallel EmCon HE diode • Very low VCE(sat) 1.5 V (typ.) • Maximum Junction Temperature 175 °C • Short circuit withstand time – 5µs • Designed for : - Variable Speed Drive for washing machines, air co 文件：396.81 Kbytes 页数：14 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON

产品属性

产品编号：
IHD10N60RA
制造商：
Infineon Technologies
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
系列：
TrenchStop®
包装：
管件
IGBT 类型：
沟道
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
1.9V @ 15V，10A
开关能量：
270µJ
输入类型：
标准
25°C 时 Td（开/关）值：
-/170ns
测试条件：
400V，10A，23 欧姆，15V
工作温度：
-40°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
供应商器件封装：
PG-TO252-3-11
描述：
IGBT 600V 20A 110W TO252-3

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