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IHD10N60RA中文资料Reverse conducting IGBT with monolithic body diode数据手册Infineon规格书
| 厂商型号 |
IHD10N60RA |
| 参数属性 | IHD10N60RA 封装/外壳为TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63；包装为管件；类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单；产品描述：IGBT 600V 20A 110W TO252-3 |
| 功能描述 | Reverse conducting IGBT with monolithic body diode |
| 封装外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
| 制造商 | Infineon Infineon Technologies AG |
| 中文名称 | 英飞凌 英飞凌科技股份公司 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-9-26 10:09:00 |
| 人工找货 | IHD10N60RA价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
IHD10N60RA规格书详情
简介
IHD10N60RA属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的IHD10N60RA晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种具有三个端子的多层半导体器件，能够处理大电流，具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。
技术参数
更多- 产品编号：
IHD10N60RA
- 制造商：
Infineon Technologies
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 系列：
TrenchStop®
- 包装：
管件
- IGBT 类型：
沟道
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
1.9V @ 15V，10A
- 开关能量：
270µJ
- 输入类型：
标准
- 25°C 时 Td（开/关）值：
-/170ns
- 测试条件：
400V，10A，23 欧姆，15V
- 工作温度：
-40°C ~ 175°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
- 供应商器件封装：
PG-TO252-3-11
- 描述：
IGBT 600V 20A 110W TO252-3
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Infineon |
22+ |
NA |
2118 |
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询价 | ||
英飞翎 |
17+ |
DPAK(TO-252) |
31518 |
原装正品 可含税交易 |
询价 | ||
JINGDAO/晶导微 |
23+ |
SMB(DO-214AA) |
69820 |
终端可以免费供样,支持BOM配单! |
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INFINEON |
23+ |
TO-252 |
11846 |
一级代理商现货批发,原装正品,假一罚十 |
询价 | ||
INFINEON/英飞凌 |
24+ |
TO-252 |
4800 |
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询价 | ||
INFINEON/英飞凌 |
22+ |
TO-247 |
9000 |
专业配单,原装正品假一罚十,代理渠道价格优 |
询价 | ||
INFINEON/英飞凌 |
19+ |
TO-252 |
4800 |
原装现货支持BOM配单服务 |
询价 | ||
INFINEON/英飞凌 |
23+ |
DPAK(TO-2 |
43000 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
询价 | ||
INFINEON/英飞凌 |
22+ |
TO-252 |
14100 |
原装正品 |
询价 | ||
INFINEON |
23+ |
TO-252 |
16643 |
##公司主营品牌长期供应100%原装现货可含税提供技术 |
询价 |
