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IHD06N60RA中文资料Reverse conducting IGBT with monolithic body diode数据手册Infineon规格书

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厂商型号

IHD06N60RA

参数属性

IHD06N60RA 封装/外壳为TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:IGBT 600V 12A 88W TO252-3

功能描述

Reverse conducting IGBT with monolithic body diode
IGBT 600V 12A 88W TO252-3

封装外壳

TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名称

英飞凌 英飞凌科技股份公司

数据手册

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更新时间

2025-11-16 17:30:00

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IHD06N60RA规格书详情

简介

IHD06N60RA属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由Infineon制造生产的IHD06N60RA晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。

技术参数

更多
  • 产品编号:

    IHD06N60RA

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 系列:

    TrenchStop®

  • 包装:

    管件

  • IGBT 类型:

    沟道

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    1.9V @ 15V,6A

  • 开关能量:

    150µJ

  • 输入类型:

    标准

  • 25°C 时 Td(开/关)值:

    25ns/125ns

  • 测试条件:

    400V,6A,14.7 欧姆,15V

  • 工作温度:

    -40°C ~ 175°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

  • 供应商器件封装:

    PG-TO252-3-11

  • 描述:

    IGBT 600V 12A 88W TO252-3

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
INFINEON/英飞凌
19+
TO-252
4800
原装现货支持BOM配单服务
询价
INFINEON/英飞凌
22+
TO-252
14100
原装正品
询价
Infineon Technologies
2022+
PG-TO252-3
38550
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销
询价
INFINEON
23+
TO-252
7000
询价
INFINEON
23+
TO-252
16642
##公司主营品牌长期供应100%原装现货可含税提供技术
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英飞翎
17+
DPAK(TO-252)
31518
原装正品 可含税交易
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Infineon Technologies
21+
PG-TO252-3
2500
100%进口原装!长期供应!绝对优势价格(诚信经营)!
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Infineon Technologies
24+
原装
5000
原装正品,提供BOM配单服务
询价
INFINEON/英飞凌
23+
DPAK(TO-2
43000
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种
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INFINEON/英飞凌
22+
TO-247
15000
英飞凌MOS管、IGBT大量有货
询价