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IHD06N60RA	文件：300 bytes Page：1 Pages	Reverse conducting IGBT with monolithic body diode	Infineon 英飞凌	Infineon
IHD06N60RA	文件：824.92 Kbytes Page：12 Pages	Reverse conducting IGBT with monolithic body diode 文件：824.92 Kbytes 页数：12 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
IHD06N60RA	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 600V 12A 88W TO252-3	Infineon 英飞凌	Infineon
IKA06N60T	文件：354.49 Kbytes Page：14 Pages	Low Loss DuoPack : IGBT in Trench and Fieldstop technology with soft, fast recovery anti-parallel EmCon HE diode Low Loss DuoPack : IGBT in Trench and Fieldstop technology with soft, fast recovery anti-parallel EmCon HE diode • Very low VCE(sat) 1.5 V (typ.) • Maximum Junction Temperature 175 °C • Short circuit withstand time – 5µs • Designed for : - Variable Speed Drive for washing machines, air co 文件：354.49 Kbytes 页数：14 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
IKA06N60T	文件：520.309 Kbytes Page：13 Pages	IGBT in TRENCHSTOP and Fieldstop technology with soft, fast recovery anti-parallel Emitter Controlled HE diode 文件：520.309 Kbytes 页数：13 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
IKA06N60T	文件：379.05 Kbytes Page：4 Pages	Field-Stop IGBT DESCRIPTION · Low Saturation Voltage:VCE(sat)= 2.1V@IC=6A · High Current Capability · High Input Impedance APPLICATIONS · Solar Converters · Uninterrupted Power Supply · UPS,PFC · Welding Converters 文件：379.05 Kbytes 页数：4 Pages	ISC 无锡固电	ISC

产品属性

产品编号：
IHD06N60RA
制造商：
Infineon Technologies
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
系列：
TrenchStop®
包装：
管件
IGBT 类型：
沟道
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
1.9V @ 15V，6A
开关能量：
150µJ
输入类型：
标准
25°C 时 Td（开/关）值：
25ns/125ns
测试条件：
400V，6A，14.7 欧姆，15V
工作温度：
-40°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
供应商器件封装：
PG-TO252-3-11
描述：
IGBT 600V 12A 88W TO252-3

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更多IHD06N60RA供应商更新时间2025-12-11 14:00:00

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