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IHD10N60RA分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料

IHD10N60RA
厂商型号

IHD10N60RA

参数属性

IHD10N60RA 封装/外壳为TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:IGBT 600V 20A 110W TO252-3

功能描述

Reverse conducting IGBT with monolithic body diode
IGBT 600V 20A 110W TO252-3

封装外壳

TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

文件大小

829.54 Kbytes

页面数量

12

生产厂商

INFINEON

中文名称

英飞凌

网址

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数据手册

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更新时间

2025-8-6 18:06:00

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IHD10N60RA规格书详情

IHD10N60RA属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由英飞凌科技股份公司制造生产的IHD10N60RA晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。

产品属性

更多
  • 产品编号:

    IHD10N60RA

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 系列:

    TrenchStop®

  • 包装:

    管件

  • IGBT 类型:

    沟道

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    1.9V @ 15V,10A

  • 开关能量:

    270µJ

  • 输入类型:

    标准

  • 25°C 时 Td(开/关)值:

    -/170ns

  • 测试条件:

    400V,10A,23 欧姆,15V

  • 工作温度:

    -40°C ~ 175°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

  • 供应商器件封装:

    PG-TO252-3-11

  • 描述:

    IGBT 600V 20A 110W TO252-3

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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