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IHD10N60RA分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料

厂商型号 |
IHD10N60RA |
参数属性 | IHD10N60RA 封装/外壳为TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:IGBT 600V 20A 110W TO252-3 |
功能描述 | Reverse conducting IGBT with monolithic body diode |
封装外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 |
文件大小 |
829.54 Kbytes |
页面数量 |
12 页 |
生产厂商 | INFINEON |
中文名称 | 英飞凌 |
网址 | |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-8-6 18:06:00 |
人工找货 | IHD10N60RA价格和库存,欢迎联系客服免费人工找货 |
IHD10N60RA规格书详情
IHD10N60RA属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由英飞凌科技股份公司制造生产的IHD10N60RA晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。
产品属性
更多- 产品编号:
IHD10N60RA
- 制造商:
Infineon Technologies
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 系列:
TrenchStop®
- 包装:
管件
- IGBT 类型:
沟道
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):
1.9V @ 15V,10A
- 开关能量:
270µJ
- 输入类型:
标准
- 25°C 时 Td(开/关)值:
-/170ns
- 测试条件:
400V,10A,23 欧姆,15V
- 工作温度:
-40°C ~ 175°C(TJ)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
- 供应商器件封装:
PG-TO252-3-11
- 描述:
IGBT 600V 20A 110W TO252-3
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON/英飞凌 |
22+ |
TO-247 |
15000 |
英飞凌MOS管、IGBT大量有货 |
询价 | ||
INFINEON/英飞凌 |
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INFINEON/英飞凌 |
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Infineon Technologies |
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INFINEON/英飞凌 |
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INFINEON/英飞凌 |
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Infineon Technologies |
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PG-TO252-3 |
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全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销 |
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INFINEON/英飞凌 |
22+ |
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INFINEON |
23+ |
TO-252 |
8000 |
只做原装现货 |
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INFINEON |
23+ |
TO-252 |
7000 |
询价 |