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IGP01N120H2	文件：390.96 Kbytes Page：13 Pages	HighSpeed 2-Technology HighSpeed 2-Technology • Designed for: - SMPS - Lamp Ballast - ZVS-Converter - optimised for soft-switching / resonant topologies • 2nd generation HighSpeed-Technology for 1200V applications offers: - loss reduction in resonant circuits - temperature stable behavior 文件：390.96 Kbytes 页数：13 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
IGP01N120H2	文件：912.52 Kbytes Page：13 Pages	丝印：G01H1202；Package：PG-TO-220-3-1；HighSpeed 2-Technology HighSpeed 2-Technology • Designed for: - SMPS - Lamp Ballast - ZVS-Converter - optimised for soft-switching / resonant topologies • 2nd generation HighSpeed-Technology for 1200V applications offers: - loss reduction in resonant circuits - temperature stable behavior - parallel switching 文件：912.52 Kbytes 页数：13 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
IGP01N120H2_07	文件：912.52 Kbytes Page：13 Pages	HighSpeed 2-Technology HighSpeed 2-Technology • Designed for: - SMPS - Lamp Ballast - ZVS-Converter - optimised for soft-switching / resonant topologies • 2nd generation HighSpeed-Technology for 1200V applications offers: - loss reduction in resonant circuits - temperature stable behavior - parallel switching 文件：912.52 Kbytes 页数：13 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
IGP01N120H2XKSA1	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-220-3；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 1200V 3.2A 28W TO220-3	INFINEON 英飞凌	INFINEON

详细参数

型号：
IGP01N120H2
功能描述：
IGBT 晶体管 HIGH SPEED 2 TECH 1200V 1A
RoHS：
否
制造商：
Fairchild Semiconductor
配置：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
650 V
集电极—射极饱和电压：
2.3 V
栅极/发射极最大电压：
20 V 在25
C的连续集电极电流：
150 A
栅极—射极漏泄电流：
400 nA
功率耗散：
187 W
封装/箱体：
TO-247
封装：
Tube

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