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IGLR70R140D2S

丝印:70R140D;Package:PG-TSON-8;CoolGaN™ Transistor 700 V G5

Features • Enhancement mode transistor • Ultra‑fast switching • No reverse‑recovery charge • Capable of reverse conduction • Low gate and output charge • Superior commutation ruggedness • 2 kV HBM ESD standards Potential applications Consumer applications like charger, adapter, TV power

文件:1.33247 Mbytes 页数:19 Pages

Infineon

英飞凌

IGLR70R140D2S

CoolGaN ™晶体管 700 V G5

IGLR70R140D2S GaN功率晶体管可提高高频运行时的效率。作为 CoolGaN ™ G5 系列的一部分,它符合最高质量标准,可实现具有卓越效率的高可靠性设计。它采用底部冷却的 ThinPAK 封装,非常适合具有纤薄外形的消费类应用。 • 700 V e 模式功率晶体管\n• 超快切换\n• 无反向恢复电荷\n• 具有反向传导能力\n• 低栅极电荷,低输出电荷\n• 卓越的换向坚固性\n• 低动态 RDS(on)\n• 高 ESD 耐受性:2 kV HBM - 1 kV CDM\n• 底部冷却封装\n• 通过 JEDEC 认证(JESD47、JESD22);

Infineon

英飞凌

IGW100N60H3

TO-247-3

IGW40N120H3

TO-247-3

Infineon

英飞凌

上传:深圳市金嘉锐电子有限公司

技术参数

  • IDpuls(@25°C) max:

    23 A

  • QG:

    2.6 nC

  • RDS (on)(typ):

    140 mΩ

  • VDSmax:

    700 V

  • Mounting:

    SMT

  • Package:

    PG-TSON-8

  • Generation:

    G5

  • Qualification:

    Standard

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更多IGLR70R140D2S供应商 更新时间2025-12-16 15:15:00