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IGLR60R340D1

丝印:60R340D;Package:PG-TSON-8-7;600V CoolGaN™ enhancement-mode Power Transistor

Features  Enhancement mode transistor – Normally OFF switch  Ultra fast switching  No reverse-recovery charge  Capable of reverse conduction  Low gate charge, low output charge  Superior commutation ruggedness  Qualified for industrial applications according to JEDEC Standards (JESD

文件:520.62 Kbytes 页数:16 Pages

Infineon

英飞凌

IGLR60R340D1

600 V CoolGaN ™ e-mode 功率晶体管,实现极致效率和可靠性

CoolGaN ™ 600 V 系列经过全面的 GaN 定制认证,远远超出现有标准,是最高应用可靠性的完美选择。 • E-mode HEMT – 通常处于关闭状态\n• 超快速开关\n• 无反向恢复电荷\n• 具有反向传导能力\n• 低栅极电荷、低输出电荷\n• 卓越的换向坚固性\n• 符合 JEDEC 标准 (JESD47、JESD22)\n• 底部冷却;

Infineon

英飞凌

IGW100N60H3

TO-247-3

IGW40N120H3

TO-247-3

Infineon

英飞凌

上传:深圳市金嘉锐电子有限公司

技术参数

  • IDpuls(@25°C) max:

    12.2 A

  • QG:

    1.2 nC

  • RDS (on)(typ):

    270 mΩ

  • VDSmax:

    600 V

  • Mounting:

    SMT

  • Generation:

    ≤ G3

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
Infineon/英飞凌
25+
原厂封装
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Infineon
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更多IGLR60R340D1供应商 更新时间2025-12-23 15:16:00