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IGLD65R055D2中文资料CoolGaN ™晶体管 650 V G5数据手册Infineon规格书
IGLD65R055D2规格书详情
描述 Description
IGLD65R055D2 GaN功率晶体管可提高高频操作下的效率。作为 CoolGaN ™ 650 V G5 系列的一部分，它符合最高质量标准，可实现具有卓越效率的高可靠性设计。它采用底部冷却的 DFN 封装，旨在实现各种工业和消费应用中的最佳功率耗散。
特性 Features
• 650 V e-mode 功率晶体管
• 超快速开关
• 无反向恢复电荷
• 具有反向传导能力
• 低栅极电荷、低输出电荷
• 卓越的换向稳定性
• 低动态 RDS(on)
• 高 ESD 耐受性：2 kV HBM - 1 kV CDM
• 底部冷却封装
• 符合 JEDEC 标准 (JESD47、JESD22)
应用 Application
• USB-C 适配器和充电器
技术参数
- 制造商编号
：IGLD65R055D2
- 生产厂家
：Infineon
- IDpuls(@25°C) max
：60 A
- QG
：4.7 nC
- RDS (on)(typ)
：55 mΩ
- RDS (on)max
：66 mΩ
- VDSmax
：650 V
- Mounting
：SMT
- Generation
：G5
- Qualification
：Industrial
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Infineon/英飞凌 |
25+ |
原厂封装 |
10280 |
原厂授权代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源！ |
询价 | ||
TDK |
23+ |
原厂封装 |
12379 |
询价 | |||
Infineon/英飞凌 |
21+ |
PG-DSO-20 |
6820 |
只做原装,质量保证 |
询价 | ||
Infineon/英飞凌 |
23+ |
PG-DSO-20 |
6000 |
我们只做原装正品,支持检测。 |
询价 | ||
Infineon/英飞凌 |
24+ |
PG-DSO-20 |
30000 |
原装正品公司现货,假一赔十! |
询价 | ||
Infineon |
24+ |
PG-TSON-8 |
9000 |
只做原装正品 有挂有货 假一赔十 |
询价 | ||
FDK |
24+ |
1300 |
现货 |
询价 | |||
Infineon(英飞凌) |
23+ |
标准封装 |
7000 |
原厂原装现货订货价格优势终端BOM表可配单提供样品 |
询价 | ||
Integra Technologies Inc. |
25+ |
PL84A1 |
9350 |
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证 |
询价 | ||
Infineon/英飞凌 |
2021+ |
PG-DSO-20 |
9600 |
原装现货，欢迎询价 |
询价 |
