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IGCM20F60HA	文件：1.18386 Mbytes Page：16 Pages	Control Integrated POwer System	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IGCM20F60HA_15	文件：1.18386 Mbytes Page：16 Pages	Control Integrated POwer System	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IGCM20F60HA_16	文件：1.11389 Mbytes Page：16 Pages	Control Integrated POwer System	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IGCM20F60HAXKMA1	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：24-PowerDIP 模块（1.028"，26.10mm）；包装：管件类别：分立半导体产品功率驱动器模块描述：IGBT 600V 24MDIP	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
20F60HF	文件：539.08 Kbytes Page：6 Pages	FASTRECOVERYDIODE APPLICATIONS Snubberdiode Switchpowersupply UPS AntiparalleDiodeforhighfrequ encyswitchingdevices FEATURES Lowpowerloss,highefficiency Highsurgecurrentcapability Highreliability RoHSproduct	JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. 华微电子吉林华微电子股份有限公司	JSMC
20F60HF-FL-B	文件：539.08 Kbytes Page：6 Pages	FASTRECOVERYDIODE APPLICATIONS Snubberdiode Switchpowersupply UPS AntiparalleDiodeforhighfrequ encyswitchingdevices FEATURES Lowpowerloss,highefficiency Highsurgecurrentcapability Highreliability RoHSproduct	JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. 华微电子吉林华微电子股份有限公司	JSMC
20F60UMF	文件：303.42 Kbytes Page：5 Pages	FASTRECOVERDIODE APPLICATIONS Snubberdiode Switchpowersupply UPS FEATURES Lowpowerloss,highefficiency Highsurgecurrentcapability Highreliability RoHSproduct	JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. 华微电子吉林华微电子股份有限公司	JSMC
20F60UMF-FK-B	文件：303.42 Kbytes Page：5 Pages	FASTRECOVERDIODE APPLICATIONS Snubberdiode Switchpowersupply UPS FEATURES Lowpowerloss,highefficiency Highsurgecurrentcapability Highreliability RoHSproduct	JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. 华微电子吉林华微电子股份有限公司	JSMC
CUHS20F60	文件：249.21 Kbytes Page：5 Pages	SchottkyBarrierDiodeSiliconEpitaxial	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
FCF20F60	文件：619.94 Kbytes Page：5 Pages	FastRecoveryDiode	KSSKyocera Kinseki Corpotation 京瓷京瓷株式会社	KSS

详细参数

型号：
IGCM20F60HA
功能描述：
IGBT 模块 MINI DUAL-IN-LINE 20A/600V W/O NTC 24P
RoHS：
否
制造商：
Infineon Technologies
产品：
IGBT Silicon Modules
配置：
Dual 集电极—发射极最大电压
VCEO：
600 V
集电极—射极饱和电压：
1.95 V 在25
C的连续集电极电流：
230 A
栅极—射极漏泄电流：
400 nA
功率耗散：
445 W
最大工作温度：
+ 125 C
封装/箱体：
34MM

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