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IGP30N60T	文件：378.54 Kbytes Page：12 Pages	LOWLOSSIGBTINTRENCHANDFILEDSTOPTECHNOLOGY LowLossIGBTinTrenchandFieldstoptechnology •VerylowVCE(sat)1.5V(typ.) •MaximumJunctionTemperature175°C •Shortcircuitwithstandtime–5µs •Designedfor: -FrequencyConverters -UninterruptiblePowerSupply •TrenchandFieldstoptechnologyfor600Vapplication	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
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IGW30N60T	文件：446.85 Kbytes Page：13 Pages	LowLossIGBTinTrenchStopandFieldstoptechnology	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IGW30N60T	文件：495.77 Kbytes Page：12 Pages	LowLossIGBT:IGBTinTRENCHSTOP??andFieldstoptechnology Features: VerylowVCE(sat)1.5V(typ.) MaximumJunctionTemperature175°C Shortcircuitwithstandtime5s Designedfor: -FrequencyConverters -UninterruptiblePowerSupply TRENCHSTOP™andFieldstoptechnologyfor600Vapplications offers: -verytightparameterdistributio	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IGW30N60TP	文件：1.46499 Mbytes Page：14 Pages	TRENCHSTOPTMPerformancetechnology	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon

详细参数

型号：
IGB30N60T
功能描述：
IGBT 晶体管 LOW LOSS IGBT TECH 600V 30A
RoHS：
否
制造商：
Fairchild Semiconductor
配置：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
650 V
集电极—射极饱和电压：
2.3 V
栅极/发射极最大电压：
20 V 在25
C的连续集电极电流：
150 A
栅极—射极漏泄电流：
400 nA
功率耗散：
187 W
封装/箱体：
TO-247
封装：
Tube

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