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IGB30N60T
厂商型号

IGB30N60T

功能描述

Low Loss IGBT : IGBT in TRENCHSTOP??and Fieldstop technology

文件大小

674.12 Kbytes

页面数量

12

生产厂商 Infineon Technologies AG
企业简称

Infineon英飞凌

中文名称

英飞凌科技股份公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-5-22 11:39:00

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产品属性

  • 型号:

    IGB30N60T

  • 功能描述:

    IGBT 晶体管 LOW LOSS IGBT TECH 600V 30A

  • RoHS:

  • 制造商:

    Fairchild Semiconductor

  • 配置:

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO:

    650 V

  • 集电极—射极饱和电压:

    2.3 V

  • 栅极/发射极最大电压:

    20 V 在25

  • C的连续集电极电流:

    150 A

  • 栅极—射极漏泄电流:

    400 nA

  • 功率耗散:

    187 W

  • 封装/箱体:

    TO-247

  • 封装:

    Tube

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
Infineon(英飞凌)
25+
标准封装
8800
公司只做原装,详情请咨询
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Infineon/英飞凌
21+
PG-TO263-3
13880
公司只售原装,支持实单
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Infineon/英飞凌
21+
PG-TO263-3
6820
只做原装,质量保证
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24+
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6000
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原厂封装
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22+
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