首页>IGB110S10S1Q>规格书详情
IGB110S10S1Q中文资料CoolGaN™ Transistor 100 V G1 in PQFN 3x3, 11 mΩ数据手册Infineon规格书
IGB110S10S1Q规格书详情
特性 Features
• AEC-Q101 qualified
• 100 V e-mode power transistor
• Dual-side cooled package
• No reverse recovery charge
• Ultra-low figures of merit
优势:
• Best-in-class power density
• Highest efficiency
• Improved thermal management
• Enabling smaller and lighter designs
• Excellent reliability
• Lowering BOM cost
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
MAXIM |
23+ |
DIP-24 |
6500 |
全新原装假一赔十 |
询价 | ||
英飞凌 |
910 |
TO-263 |
77 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
询价 | ||||
Infineon/英飞凌 |
25+ |
原厂封装 |
10280 |
原厂授权代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源！ |
询价 | ||
Infineon(英飞凌) |
23+ |
NA |
20094 |
正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持 |
询价 | ||
INFINEON/英飞凌 |
22+ |
TO-247 |
9000 |
专业配单,原装正品假一罚十,代理渠道价格优 |
询价 | ||
Infineon/英飞凌 |
21+ |
PG-TO263-3 |
6820 |
只做原装,质量保证 |
询价 | ||
Infineon/英飞凌 |
23+ |
PG-TO263-3 |
6000 |
我们只做原装正品,支持检测。 |
询价 | ||
Infineon/英飞凌 |
24+ |
PG-TO263-3 |
30000 |
原装正品公司现货,假一赔十! |
询价 | ||
Infineon(英飞凌) |
23+ |
标准封装 |
7000 |
原厂原装现货订货价格优势终端BOM表可配单提供样品 |
询价 |
