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IGA03N120H2数据手册分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF

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厂商型号

IGA03N120H2

参数属性

IGA03N120H2 封装/外壳为TO-220-3 整包;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:IGBT 1200V 3A 29W TO220-3

功能描述

分立式IGBT
IGBT 1200V 3A 29W TO220-3

封装外壳

TO-220-3 整包

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名称

英飞凌 英飞凌科技股份公司

数据手册

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更新时间

2025-8-8 17:59:00

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IGA03N120H2规格书详情

描述 Description

英飞凌提供庞大的 IGBT 产品组合,解决软开关/谐振和硬开关拓扑。

特性 Features



• 谐振电路的损耗降低
• 温度稳定行为
• 并联开关能力
• 参数分布紧凑
• 针对 IC =1A 优化E off 性能

优势:

应用 Application

•开关电源(SMPS)

简介

IGA03N120H2属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的IGA03N120H2晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :IGA03N120H2

  • 生产厂家

    :Infineon

  • Technology 

    :IGBT HighSpeed 2

  • Switching Frequency min max

    :30.0kHz 100.0kHz

  • Package 

    :TO220-3 FP

  • Voltage Class max

    :1200.0V

  • IC(@25°) max

    :2.2A

  • IC(@100°) max

    :8.2A

  • ICpuls max

    :9.0A

  • Ptot max

    :29.0W

  • VCE(sat) 

    :2.5V 

  • Eon 

    :0.22mJ 

  • Eoff(Hard Switching) 

    :0.26mJ 

  • td(on) 

    :9.4ns 

  • tr 

    :6.7ns 

  • td(off) 

    :340.0ns 

  • tf 

    :63.0ns 

  • QGate 

    :8.6nC 

  • Switching Frequency 

    :HighSpeed2 30-100 kHz

  • VCE max

    :1200.0V

  • VGE(th) min max

    :2.1V 3.9V

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
Infineon(英飞凌)
23+
TO-220-3-1
19850
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Infineon/英飞凌
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PG-TO-220-3-1
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只做原装正品现货 欢迎来电查询15919825718
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