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IGB03N120H2数据手册分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF
| 厂商型号 |
IGB03N120H2 |
| 参数属性 | IGB03N120H2 封装/外壳为TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB；包装为管件；类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单；产品描述：IGBT 1200V 9.6A 62.5W TO263-3 |
| 功能描述 | 分立式IGBT |
| 封装外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB |
| 制造商 | Infineon Infineon Technologies AG |
| 中文名称 | 英飞凌 英飞凌科技股份公司 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-7 23:00:00 |
| 人工找货 | IGB03N120H2价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
IGB03N120H2规格书详情
描述 Description
英飞凌提供庞大的 IGBT 产品组合，解决软开关/谐振和硬开关拓扑。
特性 Features
• 谐振电路的损耗降低
• 温度稳定行为
• 并联开关能力
• 参数分布紧凑
• 针对 IC =1A 优化E off 性能
优势:
应用 Application
•开关电源（SMPS）
简介
IGB03N120H2属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的IGB03N120H2晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种具有三个端子的多层半导体器件，能够处理大电流，具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。
技术参数
更多- 制造商编号
：IGB03N120H2
- 生产厂家
：Infineon
- Technology
：IGBT HighSpeed 2
- Switching Frequency min max
：30.0kHz 100.0kHz
- Package
：D2PAK (TO-263)
- Voltage Class max
：1200.0V
- IC(@100°) max
：3.9A
- IC(@25°) max
：9.6A
- ICpuls max
：9.9A
- Ptot max
：62.5W
- VCE(sat)
：2.5V
- Eon
：0.22mJ
- Eoff(Hard Switching)
：0.26mJ
- td(on)
：9.4ns
- tr
：6.7ns
- td(off)
：340.0ns
- tf
：63.0ns
- QGate
：22.0nC
- VCE max
：1200.0V
- Switching Frequency
：HighSpeed2 30-100 kHz
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Infineon(英飞凌) |
24+ |
标准封装 |
7435 |
原厂渠道供应,大量现货,原型号开票。 |
询价 | ||
INFINEON/英飞凌 |
24+ |
NA/ |
3509 |
原装现货,当天可交货,原型号开票 |
询价 | ||
INFINEON |
23+ |
3A,1200V,不带D |
20000 |
全新原装假一赔十 |
询价 | ||
Infineon/英飞凌 |
23+ |
PG-TO263-3 |
12700 |
买原装认准中赛美 |
询价 | ||
Infineon |
23+ |
NA |
6800 |
原装正品,力挺实单 |
询价 | ||
INFINEON/英飞凌 |
22+ |
SOT-263 |
100000 |
代理渠道/只做原装/可含税 |
询价 | ||
INFINEON |
1932+ |
TO-263 |
987 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
INFINEON/英飞凌 |
22+ |
TO-263-3 |
15000 |
英飞凌MOS管、IGBT大量有货 |
询价 | ||
Infineon/英飞凌 |
24+ |
PG-TO263-3 |
6000 |
全新原装深圳仓库现货有单必成 |
询价 | ||
Infineon(英飞凌) |
23+ |
NA |
20094 |
正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持 |
询价 |
