IGB03N120H2ATMA1_分立半导体产品晶体管-UGBT、MOSFET-单-英飞凌

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1000+	¥9.49375

厂家型号：
IGB03N120H2ATMA1
制造商：
INFINEON/英飞凌
库存数量：
0
类别：
分立半导体产品晶体管-UGBT、MOSFET-单
封装外壳：
TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
包装：
管件
安装类型：
表面贴装型
更新时间：
2024-6-15 11:30:00

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原厂料号：IGB03N120H2ATMA1品牌：Infineon Technologies

资料说明：IGBT 1200V 9.6A 62.5W TO263-3

IGB03N120H2ATMA1是分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单。制造商INFINEON/英飞凌生产封装TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB的IGB03N120H2ATMA1晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种具有三个端子的多层半导体器件，能够处理大电流，具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。

芯片型号：
igb03n120h2atma1
规格书：
原厂下载下载
企业简称：
INFINEON【英飞凌】详情
厂商全称：
Infineon Technologies AG
中文名称：
英飞凌科技公司
资料说明：
IGBT 1200V 9.6A 62.5W TO263-3

产品属性

类型
描述
产品编号：
IGB03N120H2ATMA1
制造商：
Infineon Technologies
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
包装：
管件
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.8V @ 15V，3A
开关能量：
290µJ
输入类型：
标准
25°C 时 Td（开/关）值：
9.2ns/281ns
测试条件：
800V，3A，82 欧姆，15V
工作温度：
-40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
供应商器件封装：
PG-TO263-3-2
描述：
IGBT 1200V 9.6A 62.5W TO263-3

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