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IGB01N120H2数据手册分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF

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厂商型号

IGB01N120H2

参数属性

IGB01N120H2 封装/外壳为TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:IGBT 1200V 3.2A 28W TO263-3-2

功能描述

分立式IGBT
IGBT 1200V 3.2A 28W TO263-3-2

封装外壳

TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名称

英飞凌 英飞凌科技股份公司

数据手册

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更新时间

2025-8-7 23:00:00

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IGB01N120H2规格书详情

描述 Description

英飞凌提供庞大的 IGBT 产品组合,解决软开关/谐振和硬开关拓扑。

特性 Features



• 谐振电路的损耗降低
• 温度稳定行为
• 并联开关能力
• 参数分布紧凑
• 针对 IC =1A 优化E off 性能

优势:

应用 Application

•开关电源(SMPS)

简介

IGB01N120H2属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的IGB01N120H2晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :IGB01N120H2

  • 生产厂家

    :Infineon

  • Technology 

    :IGBT HighSpeed 2

  • Switching Frequency min max

    :30.0kHz 100.0kHz

  • Package 

    :D2PAK (TO-263)

  • Voltage Class max

    :1200.0V

  • IC(@100°) max

    :1.3A

  • IC(@25°) max

    :3.2A

  • ICpuls max

    :3.5A

  • Ptot max

    :28.0W

  • VCE(sat) 

    :2.5V 

  • Eon 

    :0.11mJ 

  • Eoff(Hard Switching) 

    :0.09mJ 

  • td(on) 

    :12.0ns 

  • tr 

    :8.9ns 

  • td(off) 

    :450.0ns 

  • tf 

    :43.0ns 

  • QGate 

    :8.6nC 

  • VCE max

    :1200.0V

  • Switching Frequency 

    :HighSpeed2 30-100 kHz

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
Infineon(英飞凌)
24+
TO-263
1612
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100000
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