丝印：BA1；Package：PG-VSON-4；CoolGaNTM Transistor 100 V G3

Features • Enhancement mode power transistor - normally OFF switch • No reverse recovery charge • Reverse conduction capability • Low gate charge, low output charge • Qualified according to JEDEC for target applications

文件：953.5 Kbytes 页数：12 Pages

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CoolGaN ™晶体管 100 V G3，PQFN 3x3，9.4 mΩ

IGB110S101 是一款 100 V 常关型 emode 功率晶体管，采用小型 PQFN 3x3 封装，可实现高功率密度设计。由于其导通电阻低，它是要求高电压和大电流应用中可靠性能的理想选择。 • 100 V e 模式功率晶体管\n• 底部冷却封装\n• 无反向恢复电荷\n• 反向传导能力\n• 低栅极电荷，低输出电荷\n• 符合 JEDEC 标准;

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TO-263

st

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