硅二极管

快速 1 开关 650 V、30 A 发射极控制硅功率二极管，采用共阴极配置和 TO-247 封装，可实现设计优化，实现更紧凑的尺寸、更轻松的组装，从而降低成本。 • 1.35 V 温度稳定 VF\n• 最高软度因子：\n• 最高软度因子：\n• 低 EMI 滤波\n• 适用于 18 kHz 至 40 kHz 应用\n• 最低 Irrm：\n• 升压开关损耗最低\n• 低热阻;

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丝印：C30ED1；Package：PG-TO247-3；Emitter Controlled Diode Rapid 1 Common Cathode Series

Features: •QualifiedaccordingtoJEDECfortargetapplications •650VEmitterControlledtechnology •Temperaturestablebehaviourofkeyparameters •Lowforwardvoltage(VF) •Ultrafastrecovery •Lowreverserecoverycharge(Qrr) •Lowreverserecoverycurrent(Irrm) •175°Cjunctionoperatingtemperature •Pb-freeleadpl

文件：1.62764 Mbytes 页数：11 Pages

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Package：TO-247-3；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别：分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 阵列 描述：DIODE 650V 30A RAPID1 TO247-3

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上传：深圳市凌旭科技有限公司

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