IDW30C65D1中文资料硅二极管数据手册Infineon规格书

描述 Description

快速 1 开关 650 V、30 A 发射极控制硅功率二极管，采用共阴极配置和 TO-247 封装，可实现设计优化，实现更紧凑的尺寸、更轻松的组装，从而降低成本。

特性 Features

• 1.35 V 温度稳定 VF
• 最高软度因子：
• 最高软度因子：
• 低 EMI 滤波
• 适用于 18 kHz 至 40 kHz 应用
• 最低 Irrm：
• 升压开关损耗最低
• 低热阻

应用 Application

• 单相串联逆变器解决方案

简介

IDW30C65D1属于分立半导体产品的二极管-整流器-阵列。由制造生产的IDW30C65D1二极管 - 整流器 - 阵列二极管和整流器阵列系列中的产品可在单个封装内包含两个或多个分立二极管。其特征表述类似于单个分立二极管，并增加了“二极管配置”属性，该属性指示设备中二极管之间任何内部连接的存在情况和特性。请注意，具有全桥配置的阵列被专门排除在外，并列为单独的产品系列。