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IDV15E65D2中文资料Silicon Power Diode数据手册Infineon规格书

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厂商型号

IDV15E65D2

参数属性

IDV15E65D2 封装/外壳为TO-220-2;包装为管件;类别为分立半导体产品的二极管-整流器-单;产品描述:DIODE GEN PURP 650V 15A TO220-2

功能描述

Silicon Power Diode
DIODE GEN PURP 650V 15A TO220-2

封装外壳

TO-220-2

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名称

英飞凌 英飞凌科技股份公司

数据手册

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更新时间

2025-9-25 23:01:00

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IDV15E65D2规格书详情

描述 Description

Rapid 2 switching 650 V, 15 A emitter controlled power silicon diode in a TO-220 FullPAK package is designed for applications switching between 40 kHz and 100 kHz.

特性 Features

• Lowest reverse recovery charge (Qrr): forward voltage (VF) ratio for BiC performance
• Low reverse recovery time (trr)
• Lowest Irrmto provide lowest turn-on losses on the boost switch

优势:

应用 Application

• Telecom
• Server
• PC Power
• UPS
• Welding
• Adapter

简介

IDV15E65D2属于分立半导体产品的二极管-整流器-单。由制造生产的IDV15E65D2二极管 - 整流器 - 单单整流器二极管系列产品可用于让电流仅沿一个方向流动,并且每个器件封装都恰好实现该功能的一个实例。其他用途的二极管(包括齐纳二极管和可变电容二极管)单独列在各自的产品系列中,每个器件封装中包含多个二极管的产品也是如此。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :IDV15E65D2

  • 生产厂家

    :Infineon

  • Product Status

    :active and preferred

  • Package name

    :PG-TO220-2

  • Green

    :yes

  • Halogen-free

    :yes

  • Voltage Class max

    :650 V

  • Configuration

    :Single

  • IF max

    :15 A

  • IF

    :15 A

  • I(FSM) max

    :100 A

  • VF max

    :1.6 V

  • VF

    :1.6 V

  • IR max

    :40 µA

  • Irrm

    :3.3 A

  • Qrr

    :0.07 µC

  • trr

    :47 ns

  • Ptot max

    :34 W

  • RthJC max

    :4.4 K/W

  • Operating Temperature min

    :-40 °C

  • Operating Temperature max

    :175 °C

  • Mounting

    :THT

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
INFINEON/英飞凌
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