采用 TO-247-3 封装的 1200 V 碳化硅肖特基二极管

采用 TO-247-3封装的1200 V, 10 A第五代CoolSiC™ 肖特基二极管 为碳化硅肖特基势垒二极管提供了先进的技术。英飞凌在第二代产品推出时就已引入薄晶圆技术，现在与新的合并 pn 结结合使用，改善了二极管的浪涌能力。由此产生的结果是开发出了一系列产品，以极具吸引力的成本提供了市场领先的效率、更高的系统稳定性。 • 业内出色的正向电压(VF)\n• 无反向恢复电荷\n• Vf 的适度正温度依赖性\n• 业内出色的冲击电流能力\n• 优异的热性能\n\n优势:\n• 高系统效率\n• 在低开关频率下实现更高的系统效率\n• 在高开关频率下实现更高的功率密度\n• 提高系统可靠性\n• 降低电磁干扰;

Infineon

英飞凌

Revolutionary semiconductor material - Silicon Carbide

文件：815.6 Kbytes 页数：10 Pages

Infineon

英飞凌

Package：TO-247-3；包装：管件 类别：分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 阵列 描述：DIODE SCHOTTKY 1.2KV 10A TO247-3

Infineon

英飞凌

5th Generation CoolSiCTM 1200V Schottky Diode

Features  No reverse recovery current / no forward recovery  High surge current capability  Temperature independent switching behaviour  Low forward voltage even at high operating temperature  Tight forward voltage distribution  Specified dv/dt ruggedness  Pb-free lead plating; RoHS

文件：1.07605 Mbytes 页数：12 Pages

Infineon

英飞凌