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IDT71V65603S150BQI	文件：496.4 Kbytes Page：26 Pages	256K x 36, 512K x 18 3.3V Synchronous ZBT SRAMs	IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司
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71V65603S150BQGI	文件：313.82 Kbytes Page：27 Pages	256Kx36,512Kx183.3VSynchronousZBT™SRAMsZBT™Feature3.3VI/O,BurstCounterPipelinedOutputs Features ◆256Kx36,512Kx18memoryconfigurations ◆Supportshighperformancesystemspeed-150MHz (3.8nsClock-to-DataAccess) ◆ZBTTMFeature-Nodeadcyclesbetweenwriteandreadcycles ◆Internallysynchronizedoutputbufferenableeliminatesthe needtocontrolOE ◆SingleR/W(	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司
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71V65603S150PFG	文件：313.82 Kbytes Page：27 Pages	256Kx36,512Kx183.3VSynchronousZBT™SRAMsZBT™Feature3.3VI/O,BurstCounterPipelinedOutputs Features ◆256Kx36,512Kx18memoryconfigurations ◆Supportshighperformancesystemspeed-150MHz (3.8nsClock-to-DataAccess) ◆ZBTTMFeature-Nodeadcyclesbetweenwriteandreadcycles ◆Internallysynchronizedoutputbufferenableeliminatesthe needtocontrolOE ◆SingleR/W(	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司
71V65603S150PFGI	文件：313.82 Kbytes Page：27 Pages	256Kx36,512Kx183.3VSynchronousZBT™SRAMsZBT™Feature3.3VI/O,BurstCounterPipelinedOutputs Features ◆256Kx36,512Kx18memoryconfigurations ◆Supportshighperformancesystemspeed-150MHz (3.8nsClock-to-DataAccess) ◆ZBTTMFeature-Nodeadcyclesbetweenwriteandreadcycles ◆Internallysynchronizedoutputbufferenableeliminatesthe needtocontrolOE ◆SingleR/W(	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司
IDT71V65603S150BG	文件：496.4 Kbytes Page：26 Pages	256Kx36,512Kx183.3VSynchronousZBTSRAMs	IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司
IDT71V65603S150BGI	文件：496.4 Kbytes Page：26 Pages	256Kx36,512Kx183.3VSynchronousZBTSRAMs	IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司
IDT71V65603S150BQ	文件：496.4 Kbytes Page：26 Pages	256Kx36,512Kx183.3VSynchronousZBTSRAMs	IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司
IDT71V65603S150PF	文件：496.4 Kbytes Page：26 Pages	256Kx36,512Kx183.3VSynchronousZBTSRAMs	IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司
IDT71V65603S150PFI	文件：496.4 Kbytes Page：26 Pages	256Kx36,512Kx183.3VSynchronousZBTSRAMs	IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司

详细参数

型号：
IDT71V65603S150BQI
功能描述：
IC SRAM 9MBIT 150MHZ 165FBGA
RoHS：
否
类别：
集成电路(IC) >> 存储器
系列：
-
标准包装：
72
系列：
- 格式 -
存储器：
RAM
存储器类型：
SRAM - 同步
存储容量：
9M（256K x 36）
速度：
75ns
接口：
并联
电源电压：
3.135 V ~ 3.465 V
工作温度：
-40°C ~ 85°C
封装/外壳：
100-LQFP
供应商设备封装：
100-TQFP（14x14）
包装：
托盘
其它名称：
71V67703S75PFGI

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市毅创腾电子科技有限公司	IDT71V65603S150BQI	IDT	23+	165-CABGA(13x15)	209250	专业分销产品!原装正品!价格优势!	询价
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深圳市卓越微芯电子有限公司	IDT71V65603S150PF	IDT	2020+	QFP	345	百分百原装正品真实公司现货库存本公司只做原装可	询价

更多IDT71V65603S150BQI供应商更新时间2024-4-25 16:30:00

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