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71V65603S150PFG集成电路（IC）的存储器规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
71V65603S150PFG |
| 参数属性 | 71V65603S150PFG 封装/外壳为100-LQFP；包装为卷带（TR）；类别为集成电路（IC）的存储器；产品描述：IC SRAM 9MBIT PARALLEL 100TQFP |
| 功能描述 | 256K x 36, 512K x 18 3.3V Synchronous ZBT™ SRAMs ZBT™ Feature 3.3V I/O, Burst Counter Pipelined Outputs |
| 封装外壳 | 100-LQFP |
| 文件大小 |
313.82 Kbytes |
| 页面数量 |
27 页 |
| 生产厂商 | RENESAS |
| 中文名称 | 瑞萨 |
| 网址 | |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-10-31 17:46:00 |
| 人工找货 | 71V65603S150PFG价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
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特性 Features
◆ 256K x 36, 512K x 18 memory configurations
◆ Supports high performance system speed - 150MHz
(3.8ns Clock-to-Data Access)
◆ ZBTTM Feature - No dead cycles between write and read cycles
◆ Internally synchronized output buffer enable eliminates the
need to control OE
◆ Single R/W (READ/WRITE) control pin
◆ Positive clock-edge triggered address, data, and control signal
registers for fully pipelined applications
◆ 4-word burst capability (interleaved or linear)
◆ Individual byte write (BW1 - BW4) control (May tie active)
◆ Three chip enables for simple depth expansion
◆ 3.3V power supply (±5)
◆ 3.3V I/O Supply (VDDQ)
◆ Power down controlled by ZZ input
◆ Packaged in a JEDEC standard 100-pin plastic thin quad
flatpack (TQFP), 119 ball grid array (BGA) and 165 fine
pitch ball grid array(fBGA)
◆ Industrial temperature range (–40°C to +85°C) is available
for selected speeds
◆ Green parts available, see ordering information
产品属性
- 产品编号：
71V65603S150PFG
- 制造商：
Renesas Electronics America Inc
- 类别：
集成电路（IC） > 存储器
- 包装：
卷带（TR）
- 存储器类型：
易失
- 存储器格式：
SRAM
- 技术：
SRAM - 同步，SDR（ZBT）
- 存储容量：
9Mb（256K x 36）
- 存储器接口：
并联
- 电压 - 供电：
3.135V ~ 3.465V
- 工作温度：
0°C ~ 70°C（TA）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
100-LQFP
- 供应商器件封装：
100-TQFP（14x14）
- 描述：
IC SRAM 9MBIT PARALLEL 100TQFP
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IDT |
2023+ |
TQFP100 |
8635 |
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RENESAS(瑞萨)/IDT |
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Renesas Electronics America In |
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100-LQFP |
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