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IDT71V65603S133BG	文件：496.4 Kbytes Page：26 Pages	256K x 36, 512K x 18 3.3V Synchronous ZBT SRAMs	IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司	IDT
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71V65603S133BQGI	文件：313.82 Kbytes Page：27 Pages	256Kx36,512Kx183.3VSynchronousZBT™SRAMsZBT™Feature3.3VI/O,BurstCounterPipelinedOutputs Features ◆256Kx36,512Kx18memoryconfigurations ◆Supportshighperformancesystemspeed-150MHz (3.8nsClock-to-DataAccess) ◆ZBTTMFeature-Nodeadcyclesbetweenwriteandreadcycles ◆Internallysynchronizedoutputbufferenableeliminatesthe needtocontrolOE ◆SingleR/W(	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
71V65603S133BQI	文件：313.82 Kbytes Page：27 Pages	256Kx36,512Kx183.3VSynchronousZBT™SRAMsZBT™Feature3.3VI/O,BurstCounterPipelinedOutputs Features ◆256Kx36,512Kx18memoryconfigurations ◆Supportshighperformancesystemspeed-150MHz (3.8nsClock-to-DataAccess) ◆ZBTTMFeature-Nodeadcyclesbetweenwriteandreadcycles ◆Internallysynchronizedoutputbufferenableeliminatesthe needtocontrolOE ◆SingleR/W(	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
71V65603S133PFG	文件：313.82 Kbytes Page：27 Pages	256Kx36,512Kx183.3VSynchronousZBT™SRAMsZBT™Feature3.3VI/O,BurstCounterPipelinedOutputs Features ◆256Kx36,512Kx18memoryconfigurations ◆Supportshighperformancesystemspeed-150MHz (3.8nsClock-to-DataAccess) ◆ZBTTMFeature-Nodeadcyclesbetweenwriteandreadcycles ◆Internallysynchronizedoutputbufferenableeliminatesthe needtocontrolOE ◆SingleR/W(	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
71V65603S133PFGI	文件：313.82 Kbytes Page：27 Pages	256Kx36,512Kx183.3VSynchronousZBT™SRAMsZBT™Feature3.3VI/O,BurstCounterPipelinedOutputs Features ◆256Kx36,512Kx18memoryconfigurations ◆Supportshighperformancesystemspeed-150MHz (3.8nsClock-to-DataAccess) ◆ZBTTMFeature-Nodeadcyclesbetweenwriteandreadcycles ◆Internallysynchronizedoutputbufferenableeliminatesthe needtocontrolOE ◆SingleR/W(	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
IDT71V65603S133BQ	文件：496.4 Kbytes Page：26 Pages	256Kx36,512Kx183.3VSynchronousZBTSRAMs	IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司	IDT
IDT71V65603S133BQI	文件：496.4 Kbytes Page：26 Pages	256Kx36,512Kx183.3VSynchronousZBTSRAMs	IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司	IDT
IDT71V65603S133PF	文件：496.4 Kbytes Page：26 Pages	256Kx36,512Kx183.3VSynchronousZBTSRAMs	IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司	IDT
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详细参数

型号：
IDT71V65603S133BG
功能描述：
IC SRAM 9MBIT 133MHZ 119BGA
RoHS：
否
类别：
集成电路(IC) >> 存储器
系列：
-
标准包装：
72
系列：
- 格式 -
存储器：
RAM
存储器类型：
SRAM - 同步
存储容量：
9M（256K x 36）
速度：
75ns
接口：
并联
电源电压：
3.135 V ~ 3.465 V
工作温度：
-40°C ~ 85°C
封装/外壳：
100-LQFP
供应商设备封装：
100-TQFP（14x14）
包装：
托盘
其它名称：
71V67703S75PFGI

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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