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IDT71V65603S133BGI	文件：496.4 Kbytes Page：26 Pages	256K x 36, 512K x 18 3.3V Synchronous ZBT SRAMs	IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司
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71V65603S133BQI	文件：313.82 Kbytes Page：27 Pages	256Kx36,512Kx183.3VSynchronousZBT™SRAMsZBT™Feature3.3VI/O,BurstCounterPipelinedOutputs Features ◆256Kx36,512Kx18memoryconfigurations ◆Supportshighperformancesystemspeed-150MHz (3.8nsClock-to-DataAccess) ◆ZBTTMFeature-Nodeadcyclesbetweenwriteandreadcycles ◆Internallysynchronizedoutputbufferenableeliminatesthe needtocontrolOE ◆SingleR/W(	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司
71V65603S133PFG	文件：313.82 Kbytes Page：27 Pages	256Kx36,512Kx183.3VSynchronousZBT™SRAMsZBT™Feature3.3VI/O,BurstCounterPipelinedOutputs Features ◆256Kx36,512Kx18memoryconfigurations ◆Supportshighperformancesystemspeed-150MHz (3.8nsClock-to-DataAccess) ◆ZBTTMFeature-Nodeadcyclesbetweenwriteandreadcycles ◆Internallysynchronizedoutputbufferenableeliminatesthe needtocontrolOE ◆SingleR/W(	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司
71V65603S133PFGI	文件：313.82 Kbytes Page：27 Pages	256Kx36,512Kx183.3VSynchronousZBT™SRAMsZBT™Feature3.3VI/O,BurstCounterPipelinedOutputs Features ◆256Kx36,512Kx18memoryconfigurations ◆Supportshighperformancesystemspeed-150MHz (3.8nsClock-to-DataAccess) ◆ZBTTMFeature-Nodeadcyclesbetweenwriteandreadcycles ◆Internallysynchronizedoutputbufferenableeliminatesthe needtocontrolOE ◆SingleR/W(	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司
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详细参数

型号：
IDT71V65603S133BGI
功能描述：
IC SRAM 9MBIT 133MHZ 119BGA
RoHS：
否
类别：
集成电路(IC) >> 存储器
系列：
-
标准包装：
45
系列：
- 格式 -
存储器：
RAM
存储器类型：
SRAM - 双端口，异步
存储容量：
128K（8K x 16）
速度：
15ns
接口：
并联
电源电压：
3 V ~ 3.6 V
工作温度：
0°C ~ 70°C
封装/外壳：
100-LQFP
供应商设备封装：
100-TQFP（14x14）
包装：
托盘
其它名称：
70V25S15PF

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市毅创腾电子科技有限公司	IDT71V65603S133BGI	IDT	23+	119-PBGA(14x22)	9550	专业分销产品!原装正品!价格优势!	询价
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