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IDT71V65602S-133BQI

256K x 36, 512K x 18 3.3V Synchronous ZBT SRAMs 2.5V I/O, Burst Counter Pipelined Outputs

文件:970.82 Kbytes 页数:26 Pages

IDT

IDT71V65602S133PF

256K x 36, 512K x 18 3.3V Synchronous ZBT SRAMs 2.5V I/O, Burst Counter Pipelined Outputs

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IDT71V65602S-133PF

256K x 36, 512K x 18 3.3V Synchronous ZBT SRAMs 2.5V I/O, Burst Counter Pipelined Outputs

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IDT71V65602S133PFI

256K x 36, 512K x 18 3.3V Synchronous ZBT SRAMs 2.5V I/O, Burst Counter Pipelined Outputs

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IDT71V65602S-133PFI

256K x 36, 512K x 18 3.3V Synchronous ZBT SRAMs 2.5V I/O, Burst Counter Pipelined Outputs

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IDT71V65602S150BG

256K x 36, 512K x 18 3.3V Synchronous ZBT SRAMs 2.5V I/O, Burst Counter Pipelined Outputs

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IDT71V65602S-150BG

256K x 36, 512K x 18 3.3V Synchronous ZBT SRAMs 2.5V I/O, Burst Counter Pipelined Outputs

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IDT71V65602S150BGI

256K x 36, 512K x 18 3.3V Synchronous ZBT SRAMs 2.5V I/O, Burst Counter Pipelined Outputs

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IDT71V65602S-150BGI

256K x 36, 512K x 18 3.3V Synchronous ZBT SRAMs 2.5V I/O, Burst Counter Pipelined Outputs

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IDT71V65602S150BQ

256K x 36, 512K x 18 3.3V Synchronous ZBT SRAMs 2.5V I/O, Burst Counter Pipelined Outputs

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IDT

技术参数

  • 存储器格式:

    SRAM

  • 技术:

    SRAM - 同步 ZBT

  • 存储容量:

    9Mb (256K x 36)

  • 时钟频率:

    100MHz

  • 访问时间:

    5ns

  • 存储器接口:

    并联

  • 电压 - 电源:

    3.135V ~ 3.465V

  • 工作温度:

    0°C ~ 70°C(TA)

  • 安装类型:

    表面贴装

  • 封装/外壳:

    119-BGA

  • 供应商器件封装:

    119-PBGA(14x22)

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多IDT71V65602供应商 更新时间2026-2-5 16:30:00