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IDT71V65602S150BQ	文件：970.82 Kbytes Page：26 Pages	256K x 36, 512K x 18 3.3V Synchronous ZBT SRAMs 2.5V I/O, Burst Counter Pipelined Outputs	IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司
IDT71V65602S150BQ	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）封装/外壳：165-TBGA 类别：集成电路（IC）存储器描述：IC SRAM 9MBIT PARALLEL 165CABGA	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司
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产品属性

产品编号：
IDT71V65602S150BQ
制造商：
Renesas Electronics America Inc
类别：
集成电路（IC） > 存储器
包装：
卷带（TR）
存储器类型：
易失
存储器格式：
SRAM
技术：
SRAM - 同步，SDR（ZBT）
存储容量：
9Mb（256K x 36）
存储器接口：
并联
电压 - 供电：
3.135V ~ 3.465V
工作温度：
0°C ~ 70°C（TA）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
165-TBGA
供应商器件封装：
165-CABGA（13x15）
描述：
IC SRAM 9MBIT PARALLEL 165CABGA

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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