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IDT71V2576S	文件：822.05 Kbytes Page：23 Pages	128K X 36, 256K X 18 3.3V Synchronous SRAMs 2.5V I/O, Pipelined Outputs, Burst Counter, Single Cycle Deselect Features ◆ 128K x 36, 256K x 18 memory configurations ◆ Supports high system speed: Commercial and Industrial: – 150MHz 3.8ns clock access time – 133MHz 4.2ns clock access time ◆ LBO input selects interleaved or linear burst mode ◆ Self-timed write cycle with global write control (GW), byte 文件：822.05 Kbytes 页数：23 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
IDT71V2576S	文件：282.48 Kbytes Page：22 Pages	128K X 36, 256K X 18 3.3V Synchronous SRAMs 2.5V I/O, Pipelined Outputs, Burst Counter, Single Cycle Deselect 文件：282.48 Kbytes 页数：22 Pages	IDT	IDT
IDT71V2576SA	文件：822.05 Kbytes Page：23 Pages	128K X 36, 256K X 18 3.3V Synchronous SRAMs 2.5V I/O, Pipelined Outputs, Burst Counter, Single Cycle Deselect Features ◆ 128K x 36, 256K x 18 memory configurations ◆ Supports high system speed: Commercial and Industrial: – 150MHz 3.8ns clock access time – 133MHz 4.2ns clock access time ◆ LBO input selects interleaved or linear burst mode ◆ Self-timed write cycle with global write control (GW), byte 文件：822.05 Kbytes 页数：23 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
IDT71V2576S133BG	文件：282.48 Kbytes Page：22 Pages	128K X 36, 256K X 18 3.3V Synchronous SRAMs 2.5V I/O, Pipelined Outputs, Burst Counter, Single Cycle Deselect 文件：282.48 Kbytes 页数：22 Pages	IDT	IDT
IDT71V2576S133BGI	文件：282.48 Kbytes Page：22 Pages	128K X 36, 256K X 18 3.3V Synchronous SRAMs 2.5V I/O, Pipelined Outputs, Burst Counter, Single Cycle Deselect 文件：282.48 Kbytes 页数：22 Pages	IDT	IDT
IDT71V2576S133BQ	文件：282.48 Kbytes Page：22 Pages	128K X 36, 256K X 18 3.3V Synchronous SRAMs 2.5V I/O, Pipelined Outputs, Burst Counter, Single Cycle Deselect 文件：282.48 Kbytes 页数：22 Pages	IDT	IDT
IDT71V2576S133BQI	文件：282.48 Kbytes Page：22 Pages	128K X 36, 256K X 18 3.3V Synchronous SRAMs 2.5V I/O, Pipelined Outputs, Burst Counter, Single Cycle Deselect 文件：282.48 Kbytes 页数：22 Pages	IDT	IDT
IDT71V2576S133PF	文件：282.48 Kbytes Page：22 Pages	128K X 36, 256K X 18 3.3V Synchronous SRAMs 2.5V I/O, Pipelined Outputs, Burst Counter, Single Cycle Deselect 文件：282.48 Kbytes 页数：22 Pages	IDT	IDT
IDT71V2576S133PFI	文件：282.48 Kbytes Page：22 Pages	128K X 36, 256K X 18 3.3V Synchronous SRAMs 2.5V I/O, Pipelined Outputs, Burst Counter, Single Cycle Deselect 文件：282.48 Kbytes 页数：22 Pages	IDT	IDT
IDT71V2576S150BG	文件：282.48 Kbytes Page：22 Pages	128K X 36, 256K X 18 3.3V Synchronous SRAMs 2.5V I/O, Pipelined Outputs, Burst Counter, Single Cycle Deselect 文件：282.48 Kbytes 页数：22 Pages	IDT	IDT

技术参数

存储器格式：
SRAM
技术：
SRAM - 同步
存储容量：
4.5Mb （128K x 36）
时钟频率：
133MHz
访问时间：
4.2ns
存储器接口：
并联
电压 - 电源：
3.135V ~ 3.465V
工作温度：
0°C ~ 70°C（TA）
安装类型：
表面贴装
封装/外壳：
100-LQFP
供应商器件封装：
100-TQFP（14x14）

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市毅创腾电子科技有限公司	IDT71V2576S150PFI8	IDT	23+	100-TQFP(14x14)	1389	专业分销产品!原装正品!价格优势!	询价
深圳市福安瓯科技有限公司	IDT71V2576S-150PFI	IDT	25+	QFP	126	原装现货热卖中,提供一站式真芯服务	询价
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