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IDT71V2576S133BG	文件：282.48 Kbytes Page：22 Pages	128K X 36, 256K X 18 3.3V Synchronous SRAMs 2.5V I/O, Pipelined Outputs, Burst Counter, Single Cycle Deselect	IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司	IDT
IDT71V2576S133BGI	文件：282.48 Kbytes Page：22 Pages	128K X 36, 256K X 18 3.3V Synchronous SRAMs 2.5V I/O, Pipelined Outputs, Burst Counter, Single Cycle Deselect	IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司	IDT
71V2576S133BG	文件：822.05 Kbytes Page：23 Pages	128KX36,256KX183.3VSynchronousSRAMs2.5VI/O,PipelinedOutputs,BurstCounter,SingleCycleDeselect Features ◆128Kx36,256Kx18memoryconfigurations ◆Supportshighsystemspeed: CommercialandIndustrial: –150MHz3.8nsclockaccesstime –133MHz4.2nsclockaccesstime ◆LBOinputselectsinterleavedorlinearburstmode ◆Self-timedwritecyclewithglobalwritecontrol(GW),byte	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
71V2576S133BGI	文件：822.05 Kbytes Page：23 Pages	128KX36,256KX183.3VSynchronousSRAMs2.5VI/O,PipelinedOutputs,BurstCounter,SingleCycleDeselect Features ◆128Kx36,256Kx18memoryconfigurations ◆Supportshighsystemspeed: CommercialandIndustrial: –150MHz3.8nsclockaccesstime –133MHz4.2nsclockaccesstime ◆LBOinputselectsinterleavedorlinearburstmode ◆Self-timedwritecyclewithglobalwritecontrol(GW),byte	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
71V2576S133BQ	文件：822.05 Kbytes Page：23 Pages	128KX36,256KX183.3VSynchronousSRAMs2.5VI/O,PipelinedOutputs,BurstCounter,SingleCycleDeselect Features ◆128Kx36,256Kx18memoryconfigurations ◆Supportshighsystemspeed: CommercialandIndustrial: –150MHz3.8nsclockaccesstime –133MHz4.2nsclockaccesstime ◆LBOinputselectsinterleavedorlinearburstmode ◆Self-timedwritecyclewithglobalwritecontrol(GW),byte	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
71V2576S133BQI	文件：822.05 Kbytes Page：23 Pages	128KX36,256KX183.3VSynchronousSRAMs2.5VI/O,PipelinedOutputs,BurstCounter,SingleCycleDeselect Features ◆128Kx36,256Kx18memoryconfigurations ◆Supportshighsystemspeed: CommercialandIndustrial: –150MHz3.8nsclockaccesstime –133MHz4.2nsclockaccesstime ◆LBOinputselectsinterleavedorlinearburstmode ◆Self-timedwritecyclewithglobalwritecontrol(GW),byte	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
71V2576S133PF	文件：822.05 Kbytes Page：23 Pages	128KX36,256KX183.3VSynchronousSRAMs2.5VI/O,PipelinedOutputs,BurstCounter,SingleCycleDeselect Features ◆128Kx36,256Kx18memoryconfigurations ◆Supportshighsystemspeed: CommercialandIndustrial: –150MHz3.8nsclockaccesstime –133MHz4.2nsclockaccesstime ◆LBOinputselectsinterleavedorlinearburstmode ◆Self-timedwritecyclewithglobalwritecontrol(GW),byte	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
71V2576S133PFI	文件：822.05 Kbytes Page：23 Pages	128KX36,256KX183.3VSynchronousSRAMs2.5VI/O,PipelinedOutputs,BurstCounter,SingleCycleDeselect Features ◆128Kx36,256Kx18memoryconfigurations ◆Supportshighsystemspeed: CommercialandIndustrial: –150MHz3.8nsclockaccesstime –133MHz4.2nsclockaccesstime ◆LBOinputselectsinterleavedorlinearburstmode ◆Self-timedwritecyclewithglobalwritecontrol(GW),byte	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
IDT71V2576S133BQ	文件：282.48 Kbytes Page：22 Pages	128KX36,256KX183.3VSynchronousSRAMs2.5VI/O,PipelinedOutputs,BurstCounter,SingleCycleDeselect	IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司	IDT
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