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IDT70P3337	文件：882.41 Kbytes Page：20 Pages	1024K/512K x18 SYNCHRONOUS DUAL QDR-II 文件：882.41 Kbytes 页数：20 Pages	IDT	IDT
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IDT70P3337S233RM	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：576-BBGA，FCBGA；包装：托盘类别：集成电路（IC）存储器描述：IC SRAM 9MBIT PARALLEL 576FCBGA	Renesas Electronics America Inc	Renesas Electronics America Inc
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技术参数

存储器格式：
SRAM
技术：
SRAM - 双端口，同步 QDR II
存储容量：
9Mb （512K x 18）
时钟频率：
233MHz
访问时间：
7.2ns
存储器接口：
并联
电压 - 电源：
1.7V ~ 1.9V
工作温度：
0°C ~ 70°C（TA）
安装类型：
表面贴装
封装/外壳：
576-BBGA，FCBGA
供应商器件封装：
576-FCBGA（25x25）

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市毅创腾电子科技有限公司	IDT70P3337S250RM	IDT	23+	576-FCBGA(25x25)	39257	专业分销产品!原装正品!价格优势!	询价
深圳市斌腾达科技有限公司	IDT70P3337S250RM	IDT, Integrated Device Technol	21+	209-BGA	5280	进口原装!长期供应!绝对优势价格(诚信经营	询价
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深圳市安富世纪电子有限公司	IDT70P3337S250RM	IDT, Integrated Device Techno	23+	576-FCBGA25x25	7300	专注配单,只做原装进口现货	询价
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更多IDT70P3337供应商更新时间2026-2-1 10:51:00

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