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IDT70P3337S233RM数据手册集成电路(IC)的存储器规格书PDF

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厂商型号

IDT70P3337S233RM

参数属性

IDT70P3337S233RM 封装/外壳为576-BBGA,FCBGA;包装为托盘;类别为集成电路(IC)的存储器;产品描述:IC SRAM 9MBIT PARALLEL 576FCBGA

功能描述

IC SRAM 9M PARALLEL 576FCBGA

封装外壳

576-BBGA,FCBGA

制造商

Renesas Renesas Technology Corp

中文名称

瑞萨 瑞萨科技有限公司

数据手册

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更新时间

2025-8-16 15:21:00

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技术参数

  • 制造商编号

    :IDT70P3337S233RM

  • 生产厂家

    :Renesas

  • 存储器格式

    :SRAM

  • 技术

    :SRAM - 双端口,同步 QDR II

  • 存储容量

    :9Mb (512K x 18)

  • 时钟频率

    :233MHz

  • 写周期时间 - 字,页

    :-

  • 访问时间

    :7.2ns

  • 存储器接口

    :并联

  • 电压 - 电源

    :1.7V ~ 1.9V

  • 工作温度

    :0°C ~ 70°C(TA)

  • 安装类型

    :表面贴装

  • 封装/外壳

    :576-BBGA,FCBGA

  • 供应商器件封装

    :576-FCBGA(25x25)

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IDT
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576FCBGA
9000
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7300
专注配单,只做原装进口现货
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IDT, Integrated Device Techno
23+
576-FCBGA25x25
7300
专注配单,只做原装进口现货
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576FCBGA
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