无与伦比的效率和性价比

CoolSiC™ 肖特基二极管 650 V G6 作为英飞凌用于碳化硅肖特基势垒二极管的领先技术，充分利用了碳化硅相对于硅的所有优势。 英飞凌专有的创新焊接工艺与更紧凑的设计、薄晶圆技术，以及全新的肖特基金属系统相结合。 结果是一系列产品在所有负载条件下都具有更高的效率，这得益于一流的品质因数（Q c x V F）。 • 最低 V F：1.25V\n• 无反向恢复电荷\n• 高 dv/dt 耐用性\n• 优化的热行为;

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6th Generation CoolSiC?

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Package：TO-220-2；包装：管件 类别：分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 单 描述：DIODE SCHOTTKY 650V 20A TO220-2

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6th Generation CoolSiC??650V SiC Schottky Diode

6th Generation CoolSiC™ 650V SiC Schottky Diode The CoolSiC™ generation ч ҙGчҚ is the leading edge technology from Infineon for the SiC Schottky barrier diodes. The Infineon proprietary innovative G5 technology was enhanced in G6 by introducing further advancements like a novel Schottky metal sys

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