丝印：D2065C6；Package：PG-HDSOP-10-1；6th Generation CoolSiC™ 650V SiC Schottky Diode

Features  Best in class forward voltage (1.25 V)  Best in class figure of merit (Qc x VF)  High dv/dt ruggedness (150 V/ns) Benefits  System efficiency improvement  System cost and size savings due to the reduced cooling requirements  Enabling higher frequency and increased power de

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CoolSiC™ 肖特基二极管

英飞凌科技推出双 DPAK（DDPAK），这是首款顶部冷却表面贴装器件（SMD）封装，适用于 PC 电源、太阳能、服务器和电信等高功率 SMPS 应用。现有的高压技术 CoolSiC ™肖特基二极管 650V G6 的优势与顶部冷却的创新概念相结合，为 PFC 等大电流硬开关拓扑提供系统解决方案，并为 LLC 拓扑提供高端效率解决方案。 • 提供一流的 VF 和 FOM Qc x VF \n• 提高了 dv/dt 的耐用性\n• 可与 CoolMOS ™ 7 SJ MOSFET 系列轻松有效地匹配\n• 电路板和半导体的热去耦可克服 PCB 热限制\n• 降低寄生源电感可提高效率和易用性\n• 支持更高功率密度的解决方案\n• 超越最高质量标准;

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Package：10-PowerSOP 模块；包装：管件 类别：分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 单 描述：DIODE SCHOT 650V 51A HDSOP-10-1

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6th Generation CoolSiC?

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