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IDDD20G65C6	文件：652.25 Kbytes Page：9 Pages	Marking：D2065C6；Package：PG-HDSOP-10-1；6th Generation CoolSiC™ 650V SiC Schottky Diode Features Bestinclassforwardvoltage(1.25V) Bestinclassfigureofmerit(QcxVF) Highdv/dtruggedness(150V/ns) Benefits Systemefficiencyimprovement Systemcostandsizesavingsduetothereducedcoolingrequirements Enablinghigherfrequencyandincreasedpowerde	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon

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IDDD20G65C6

文件：652.25 Kbytes

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Marking：D2065C6；Package：PG-HDSOP-10-1；6th Generation CoolSiC™ 650V SiC Schottky Diode

Features Bestinclassforwardvoltage(1.25V) Bestinclassfigureofmerit(QcxVF) Highdv/dtruggedness(150V/ns) Benefits Systemefficiencyimprovement Systemcostandsizesavingsduetothereducedcoolingrequirements Enablinghigherfrequencyandincreasedpowerde

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技股份公司

Infineon

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更多D2065C6供应商更新时间2025-5-22 15:01:00

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