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AOD210	文件：441.3 Kbytes Page：6 Pages	丝印：D210；Package：TO-252；30V N-Channel MOSFET Product Summary VDS =30V ID (at VGS =10V) = 70A RDS(ON) (at VGS =10V) = 文件：441.3 Kbytes 页数：6 Pages	UMW 友台半导体	UMW
AOD210	文件：247.17 Kbytes Page：6 Pages	丝印：D210；Package：TO-252；30V N-Channel MOSFET 文件：247.17 Kbytes 页数：6 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
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CDCLVD2102RGTT	文件：614.55 Kbytes Page：23 Pages	丝印：D2102；Package：VQFN(RGT)；Dual 1:2 Low Additive Jitter LVDS Buffer 1FEATURES • Dual 1:2 Differential Buffer • Low Additive Jitter 文件：614.55 Kbytes 页数：23 Pages	TI 德州仪器	TI
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详细参数

型号：
D210
功能描述：
MOSFET N-CH 30V 70A TO252
RoHS：
是
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
-
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

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