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AOD210	文件：441.3 Kbytes Page：6 Pages	丝印：D210；Package：TO-252；30V N-Channel MOSFET Product Summary VDS =30V ID (at VGS =10V) = 70A RDS(ON) (at VGS =10V) = 文件：441.3 Kbytes 页数：6 Pages	UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd. 友台半导体广东友台半导体有限公司	UMW
AOD210	文件：247.17 Kbytes Page：6 Pages	丝印：D210；Package：TO-252；30V N-Channel MOSFET 文件：247.17 Kbytes 页数：6 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
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CDCLVD2102RGTT	文件：610.14 Kbytes Page：22 Pages	丝印：D2102；Package：VQFN；Dual 1:2 Low Additive Jitter LVDS Buffer 1FEATURES • Dual 1:2 Differential Buffer • Low Additive Jitter 文件：610.14 Kbytes 页数：22 Pages	TI2 德州仪器	TI2
CDCLVD2102RGTT.A	文件：610.14 Kbytes Page：22 Pages	丝印：D2102；Package：VQFN；Dual 1:2 Low Additive Jitter LVDS Buffer 1FEATURES • Dual 1:2 Differential Buffer • Low Additive Jitter 文件：610.14 Kbytes 页数：22 Pages	TI2 德州仪器	TI2
CDCLVD2102RGTTG4.A	文件：610.14 Kbytes Page：22 Pages	丝印：D2102；Package：VQFN；Dual 1:2 Low Additive Jitter LVDS Buffer 1FEATURES • Dual 1:2 Differential Buffer • Low Additive Jitter 文件：610.14 Kbytes 页数：22 Pages	TI2 德州仪器	TI2
D2102	文件：335.32 Kbytes Page：4 Pages	SILICON NPN TRIPLE DIFFUSED LOW FREQUENCY POWER AMFPLIFIER D2102 Hitachi 2SD2102 Datasheet PDF 文件：335.32 Kbytes 页数：4 Pages	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
D2102	文件：150.52 Kbytes Page：6 Pages	CASE-RATED BIPOLAR TRANSISTOR FOR TYPE 3DD2102 FOR LOW FREQUENCY FEATURES • 3DD2102 is high breakdown voltage of NPN bipolar transistor. The main process of manufacture: high voltage mesa type process, triple diffused process etc., adoption of fully plastic packge. RoHS product. APPLICATIONS • Horizontal deflection output for color TV. 文件：150.52 Kbytes 页数：6 Pages	JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. 华微电子吉林华微电子股份有限公司	JSMC
D2102	文件：190.64 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Darlington Power Transistor 文件：190.64 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC

详细参数

型号：
D210
功能描述：
MOSFET N-CH 30V 70A TO252
RoHS：
是
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
-
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

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