IDD08SG60C

CoolSiC™ Schottky Diode; • 基准开关行为\n• 无反向恢复电荷\n• 与温度无关的开关行为\n• 高工作温度 (T j max 175°C)\n\n优势:\n• 与硅二极管相比，系统效率更高\n• 降低冷却要求\n• 支持更高频率/功率密度\n• 工作温度更低，提高系统稳定性\n• 降低电磁干扰\n \n;

英飞凌 CoolSiC™ 肖特基二极管 600V G3 在任意指定额定电流下均具有行业极低器件电容，进一步增强整个系统效率，特别是较高开关频率和低负载工况。第 3 代产品与代 2 代产品基于相同技术平台，在封装级别引进所谓的扩散焊接。\n

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3rd Generation thinQ!TM SiC Schottky Diode

IDD08SG60C

3rd Generation thinQ!TM SiC Schottky Diode

IDD08SG60C_13

3rd Generation thinQ!TM SiC Schottky Diode

IDD08SG60CXTMA1

Package：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63；包装：散装 类别：分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 单 描述：DIODE SCHOTTKY 600V 8A TO252-3

IDD08SG60CXTMA2

Package：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63；包装：管件 类别：分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 单 描述：DIODE SCHOTTKY 600V 8A TO252-3