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IDB18E120	文件：214.6 Kbytes Page：8 Pages	Fast Switching EmCon Diode 文件：214.6 Kbytes 页数：8 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
IDB18E120	文件：1.08096 Mbytes Page：8 Pages	1200 V Emitter Controlled technology 文件：1.08096 Mbytes 页数：8 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
IDB18E120	文件：199.05 Kbytes Page：9 Pages	Fast Switching EmCon Diode 文件：199.05 Kbytes 页数：9 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
IDB18E120	文件：300 bytes Page：1 Pages	Silicon Power Diode 1200 V，18 A发射极控制硅功率二极管，采用 D2PAK TO-263封装，具有出色的柔软性和VF性能，其Tj（最大值）为150°C。根据IEC61249-2-21，二极管也选不含卤素。\n \n • 极低的 V F 值\n• 市面上最软的二极管\n• T j(max) of 175°C\n• 质量符合 JEDEC 标准\n• 封装温度更低，效率更高\n• 优化电磁干扰行为\n• 成本和性能之间实现出色平衡\n• 低通态损耗\n• 容易并联\n\n优势:;	Infineon 英飞凌	Infineon
IDB18E120_07	文件：214.6 Kbytes Page：8 Pages	Fast Switching EmCon Diode 文件：214.6 Kbytes 页数：8 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
IDB18E120_13	文件：1.08096 Mbytes Page：8 Pages	1200 V Emitter Controlled technology 文件：1.08096 Mbytes 页数：8 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
IDB18E120ATMA1	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB；包装：卷带（TR）剪切带（CT）类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单描述：DIODE GEN PURP 1.2KV 31A TO263-3	Infineon 英飞凌	Infineon

技术参数

Product Status：
not for new design
Package name：
PG-TO263-3
Green：
yes
Halogen-free：
yes
Voltage Class max：
1200 V
Configuration：
Single
IF max：
31 A
IF：
18 A
I(FSM) max：
78 A
VF：
1.65 V
IR max：
100 µA
Irrm：
20.2 A
Qrr：
1880 nC
trr：
195 ns
Ptot max：
113 W
RthJC max：
1.1 K/W
Operating Temperature min：
-55 °C
Operating Temperature max：
150 °C
Mounting：
SMT

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多IDB18E120供应商更新时间2025-10-9 23:00:00

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