IDB18E120中文资料Silicon Power Diode数据手册Infineon规格书

描述 Description

1200 V，18 A发射极控制 硅功率二极管，采用 D2PAK TO-263封装，具有出色的柔软性和VF性能，其Tj（最大值）为150°C。根据IEC61249-2-21，二极管也选不含卤素。
 

特性 Features

• 极低的 V F 值
• 市面上最软的二极管
• T j(max) of 175°C
• 质量符合 JEDEC 标准
• 封装温度更低，效率更高
• 优化电磁干扰行为
• 成本和性能之间实现出色平衡
• 低通态损耗
• 容易并联

优势:

简介

IDB18E120属于分立半导体产品的二极管-整流器-单。由制造生产的IDB18E120二极管 - 整流器 - 单单整流器二极管系列产品可用于让电流仅沿一个方向流动，并且每个器件封装都恰好实现该功能的一个实例。其他用途的二极管（包括齐纳二极管和可变电容二极管）单独列在各自的产品系列中，每个器件封装中包含多个二极管的产品也是如此。