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IDB12E120数据手册分立半导体产品的二极管-整流器-单规格书PDF

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厂商型号

IDB12E120

参数属性

IDB12E120 封装/外壳为TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的二极管-整流器-单;产品描述:DIODE GEN PURP 1.2KV 28A TO263-3

功能描述

Silicon Power Diode
DIODE GEN PURP 1.2KV 28A TO263-3

封装外壳

TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名称

英飞凌 英飞凌科技股份公司

数据手册

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更新时间

2025-8-6 20:00:00

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IDB12E120规格书详情

描述 Description

The 1200V family displays excellent softness and VF behaviour and is qualified with a T j(max) of 150°C. The diodes are also available halogen-free according to IEC61249-2-21. The special feature of the 1200V family is the availability of the TO-220 Real 2-leg package.

特性 Features

·Lowest V F values
·Softest diodes available on the market
·T j(max) of 175°C
·Qualified according to JEDEC Standard
·Cooler packages and higher efficiency
·Excellent EMI behavior
·Excellent trade-off between cost and performance
·Low conduction losses
·Easy paralleling

应用 Application

    ·Primarily designed for motor drive applications up to 30kHz

简介

IDB12E120属于分立半导体产品的二极管-整流器-单。由制造生产的IDB12E120二极管 - 整流器 - 单单整流器二极管系列产品可用于让电流仅沿一个方向流动,并且每个器件封装都恰好实现该功能的一个实例。其他用途的二极管(包括齐纳二极管和可变电容二极管)单独列在各自的产品系列中,每个器件封装中包含多个二极管的产品也是如此。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :IDB12E120

  • 生产厂家

    :Infineon

  • Configuration 

    :Single

  • IF  (max)

    :12.0A (28.0A)

  • I(FSM) max

    :63.0A

  • VF  (max)

    :1.65V (1.65V)

  • IR max

    :100.0µA

  • Irrm 

    :17.0A 

  • Qrr 

    :1200.0nC 

  • trr 

    :150.0ns 

  • Ptot max

    :96.0W

  • RthJC max

    :1.3K/W

  • Operating Temperature min max

    :-55.0°C 150.0°C

  • Mounting 

    :SMT

  • Package 

    :P-TO220-3-45

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
INFINEON/英飞凌
24+
NA/
3739
原装现货,当天可交货,原型号开票
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Infineon
25+
电联咨询
7800
公司现货,提供拆样技术支持
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INFINEON
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1000
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货
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INFINEON
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TO263
73546
绝对原装正品现货,全新深圳原装进口现货
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INFINEON
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INFINEON
24+
P-TO220-3-45
8866
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INFINEON/英飞凌
22+
TO-263
4000
原装正品
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Infineon(英飞凌)
24+
TO-263
3280
原厂直供,支持账期,免费供样,技术支持
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infineon
23+
原厂正规渠道
5000
专注配单,只做原装进口现货
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