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IDB10S60C	文件：575.69 Kbytes Page：7 Pages	2nd Generation thinQ SiC Schottky Diode 文件：575.69 Kbytes 页数：7 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
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IDB10S60C	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB；包装：散装类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单描述：DIODE SILICON 600V 10A D2PAK	INFINEON 英飞凌	INFINEON
IDB10S60CATMA2	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB；包装：带盒（TB）类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单描述：DIODE SCHOTTKY 600V 10A D2PAK	INFINEON 英飞凌	INFINEON

产品属性

产品编号：
IDB10S60C
制造商：
Infineon Technologies
类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单
系列：
CoolSiC™+
包装：
散装
二极管类型：
碳化硅肖特基
电流 - 平均整流 (Io)：
10A
速度：
无恢复时间 > 500mA（Io）
不同 Vr、F 时电容：
480pF @ 1V，1MHz
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
供应商器件封装：
PG-TO263-3-2
工作温度 - 结：
-55°C ~ 175°C
描述：
DIODE SILICON 600V 10A D2PAK

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市一线半导体有限公司	IDB10S60C	INFINEON	24+	PG-TO220-3	8866		询价
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更多IDB10S60C供应商更新时间2026-1-21 16:30:00

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