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IDB10S60C	文件：575.69 Kbytes Page：7 Pages	2nd Generation thinQ SiC Schottky Diode 文件：575.69 Kbytes 页数：7 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
IDB10S60C	文件：300 bytes Page：1 Pages	2nd Generation thinQ SiC Schottky Diode	Infineon 英飞凌	Infineon
IDB10S60C	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB；包装：散装类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单描述：DIODE SILICON 600V 10A D2PAK	Infineon 英飞凌	Infineon
IDB10S60CATMA2	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB；包装：带盒（TB）类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单描述：DIODE SCHOTTKY 600V 10A D2PAK	Infineon 英飞凌	Infineon

产品属性

产品编号：
IDB10S60C
制造商：
Infineon Technologies
类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单
系列：
CoolSiC™+
包装：
散装
二极管类型：
碳化硅肖特基
电流 - 平均整流 (Io)：
10A
速度：
无恢复时间 > 500mA（Io）
不同 Vr、F 时电容：
480pF @ 1V，1MHz
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
供应商器件封装：
PG-TO263-3-2
工作温度 - 结：
-55°C ~ 175°C
描述：
DIODE SILICON 600V 10A D2PAK

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多IDB10S60C供应商更新时间2025-10-5 8:36:00

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