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IDB30E60	文件：200.75 Kbytes Page：9 Pages	Fast Switching EmCon Diode Feature • 600 V EmCon technology • Fast recovery • Soft switching • Low reverse recovery charge • Low forward voltage • 175°C operating temperature • Easy paralleling 文件：200.75 Kbytes 页数：9 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
IDB30E60	文件：213.13 Kbytes Page：8 Pages	Fast Switching EmCon Diode 文件：213.13 Kbytes 页数：8 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
IDB30E60	文件：300 bytes Page：1 Pages	Silicon Power Diode The 600 V, 30 A emitter controlled silicon power diode in a D2PAK TO-263 package has been primarily designed for motor drive applications up to 30kHz. • Lowest VFvalues\n• Softest diodes available on the market\n• Tj(max)of 175°C\n• Qualified according to JEDEC Standard\n• Cooler packages and higher efficiency\n• Excellent EMI behavior\n• Excellent trade- off between cost and performance\n• Low conduction losses\n• Easy paralleling\n\n优势:;	Infineon 英飞凌	Infineon
IDB30E60_07	文件：213.13 Kbytes Page：8 Pages	Fast Switching EmCon Diode 文件：213.13 Kbytes 页数：8 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
IDB30E60_13	文件：420.65 Kbytes Page：8 Pages	Fast Switching Emitter Controlled Diode 文件：420.65 Kbytes 页数：8 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
IDB30E60ATMA1	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB；包装：管件类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单描述：DIODE GEN PURP 600V 52.3A TO263	Infineon 英飞凌	Infineon

技术参数

Product Status：
discontinued
Package name：
PG-TO263-3
Green：
yes
Halogen-free：
yes
Voltage Class max：
600 V
Configuration：
Single
IF max：
52.3 A
IF：
30 A
I(FSM) max：
117 A
VF max：
1.5 V
VF：
1.5 V
IR max：
50 µA
Irrm：
19 A
Qrr：
1100 nC
trr：
126 ns
Ptot max：
142.9 W
RthJC max：
1.05 K/W
Operating Temperature min：
-55 °C
Operating Temperature max：
175 °C
Mounting：
SMT

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更多IDB30E60供应商更新时间2025-10-13 23:00:00

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