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ID2006

High Side & Low Side Gate Driver IC

Chipown

芯朋微

IPP-2006

OUTLINE COUP

文件:75.66 Kbytes 页数:1 Pages

IPP

IPT2006-BEA

High current density due to double mesa technology

文件:209.9 Kbytes 页数:4 Pages

IPS

IPT2006-BEB

High current density due to double mesa technology

文件:209.7 Kbytes 页数:4 Pages

IPS

技术参数

  • VOFFSET(max):

    200V

  • IO+/-(typ.):

    1A/1A

  • VCC Range:

    6~18V

  • Ton/Off(typ.):

    150ns/110ns

  • Deadtime(typ.):

    300ns

  • OUT phase:

    Single-Phase

  • Package:

    SOP8

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多ID2006供应商 更新时间2025-12-24 13:01:00