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IPT2006-BEA	文件：209.9 Kbytes Page：4 Pages	High current density due to double mesa technology	IPS IP SEMICONDUCTOR CO., LTD.	IPS
IPT2006-BEB	文件：209.7 Kbytes Page：4 Pages	Highcurrentdensityduetodoublemesatechnology	IPS IP SEMICONDUCTOR CO., LTD.	IPS
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KBJ2006	文件：41.08 Kbytes Page：2 Pages	SILICONBRIDGERECTIFIERS	HY HY ELECTRONIC CORP.	HY
KBJ2006	文件：117.57 Kbytes Page：2 Pages	SILICONBRIDGERECTIFIERS	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT
KBJ2006	文件：485.1 Kbytes Page：3 Pages	20AGLASSPASSIVATEDBRIDGERECTIFIERReverse	YFWDIODEDONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS CO., LTD 佑风微电子广东佑风微电子有限公司	YFWDIODE
KBP2006G	文件：959.75 Kbytes Page：2 Pages	GLASSPASSIVATEDBIRIDGERECTIFIERS FEATURES •ULRecognizedFile#E469616 •Reliablelowcostconstructionutilizingmoldedplastictechnique •Idealforprintedcircuitboard •Lowforwardvoltagedrop •Lowreverseleakagecurrent •Highsurgecurrentcapability	JUXINGGuangdong Juxing Electronics Technology Co., Ltd. 广东钜兴电子广东钜兴电子科技有限公司	JUXING

详细参数

型号：
IPT2006-BEA
制造商：
IPS
制造商全称：
IP SEMICONDUCTOR CO., LTD.
功能描述：
High current density due to double mesa technology

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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