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IRF640	文件：916.61 Kbytes Page：10 Pages	200VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planar,DMOStechnology.Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredto minimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstan	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
IRF640	文件：132.2 Kbytes Page：7 Pages	18A,200V,0.180Ohm,N-ChannelPowerMOSFETs TheseareN-Channelenhancementmodesilicongatepowerfieldeffecttransistors.TheyareadvancedpowerMOSFETsdesigned,tested,andguaranteedtowithstandaspecifiedlevelofenergyinthebreakdownavalanchemodeofoperation.AllofthesepowerMOSFETsaredesignedforapplicationssuchas	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
IRF640	文件：1.70972 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-220packageisuniversallypreferredforallcommercial-industrialapplicationsatpowerdissipation	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRF640	文件：161.81 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor DESCRIPTION •DrainCurrent–ID=18A@TC=25℃ •DrainSourceVoltage- :VDSS=200V(Min) •StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.18Ω(Max) •FastSwitchingSpeed •LowDriveRequirement APPLICATIONS •Designedforlowvoltage,highspeedpowerswitching applicationssuch	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRF640	文件：994.62 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelEnhancementModePOWERMOSFET Features: *SuperHighDenseCellDesignForLowRDS(ON) RDS(ON)	WEITRON Weitron Technology	WEITRON
IRF640	文件：168.93 Kbytes Page：6 Pages	POWERTRMOSFET GENERALDESCRIPTION ThisPowerMOSFETisdesignedforlowvoltage,highspeedpowerswitchingapplicationssuchasswitchingregulators,converters,solenoidandrelaydrivers. FEATURES ◆SiliconGateforFastSwitchingSpeeds ◆LowRDS(on)toMinimizeOn-Losses.SpecifiedatElevated Temp	SUNTAC Suntac Electronic Corp.	SUNTAC
IRF640	文件：206.36 Kbytes Page：2 Pages	TECHNICALSPECIFICATIONSOFN-CHANNELPOWERMOSFET Description Designedforlowvoltage,highspeedpowerswitchingapplicationssuchasswitchingregulators,converters,solenoidandrelaydrivers. Features RepetitiveAvalancheRated FastSwitching EaseofParalleling SimpleDriveRequirements	DCCOM Dc Components	DCCOM
IRF640	文件：106.61 Kbytes Page：3 Pages	NCHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSTRANSISTORS FEATURE NchannelinaplasticTO220package. Theyareintendedforuseinhighspeedpowerswitching,low voltage,relaydriversandgeneralpurposeswitching applications. DC-DC&DC-ACconvertersfortelecom,industrialandlighting equipment. CompliancetoRoHS.	COMSET Comset Semiconductor	COMSET
IRF640	文件：158.63 Kbytes Page：5 Pages	18A200VNCHANNELPOWERMOSFET GENERALDESCRIPTION ThisPowerMOSFETisdesignedforlowvoltage,highspeedpowerswitchingapplicationssuchasswitchingregulators,converters,solenoidandrelaydrivers. FEATURES ◆SiliconGateforFastSwitchingSpeeds ◆LowRDS(on)toMinimizeOn-Losses.SpecifiedatElevated Temp	FCIFirst Components International 戈采戈采企业股份有限公司	FCI
IRF640	文件：1.94336 Mbytes Page：5 Pages	N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology Description： ThisN-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnologyanddesigntoprovideexcellentRDS(on)withlowgatecharge.Itcanbeusedinawidevarietyofapplications. Features： 1)VDS=200V,ID=18A,RDS(ON)	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半导体有限公司	DOINGTER

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产品属性

产品编号：
ICS-640-T
制造商：
Adam Tech
类别：
连接器，互连器件 > IC 插座
系列：
ICS
包装：
管件
类型：
DIP，0.6"（15.24mm）行距
针位或引脚数（栅格）：
40（2 x 20）
间距 - 配接：
0.100"（2.54mm）
触头表面处理 - 配接：
锡
触头材料 - 配接：
磷青铜
安装类型：
通孔
特性：
开放框架
端接：
焊接
间距 - 柱：
0.100"（2.54mm）
触头表面处理 - 柱：
锡
触头材料 - 柱：
磷青铜
外壳材料：
聚对苯二甲酸丁二酯（PBT），玻璃纤维增强型
工作温度：
-55°C ~ 105°C
描述：
IC SOCKET, DIP, 40P 2.54MM PITCH

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