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ICS-640-T	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：管件类别：连接器，互连器件 IC 插座描述：IC SOCKET, DIP, 40P 2.54MM PITCH	ADAM-TECHAdam Technologies, Inc. 亚当科技亚当科技股份有限公司	ADAM-TECH
IIRF640N	文件：338.66 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IQXO-640	文件：152.86 Kbytes Page：2 Pages	CrystalClockOscillatorSpecification	IQD IQD Frequency Products Ltd	IQD
IQXO-640	文件：157.14 Kbytes Page：7 Pages	Standard1.6x1.2mmcrystaloscillatorinaceramicpackagewithaseamsealedmetallid,hermeticallysealed	IQD IQD Frequency Products Ltd	IQD
IRC640	文件：228.9 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET(Vdss=200V,Rds(on)=0.18ohm,Id=18A) Description ThirdGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. •Dynamicdv/dtRating •RepetitiveAvalancheRated •CurrentSense •FastSwitching •Ease	IRF International Rectifier	IRF
IRC640PBF	文件：1.13633 Mbytes Page：9 Pages	HEXFETPOWERMOSFET Description ThirdGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. •Dynamicdv/dtRating •RepetitiveAvalancheRated •CurrentSense •FastSwitching •Ease	IRF International Rectifier	IRF
IRF640	文件：178.22 Kbytes Page：6 Pages	PowerMOSFET(Vdss=200V,Rds(on)=0.18ohm,Id=18A) Description ThirdGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierprovidethedesignerwithbestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-220packageisuniversallypreferredallcommercial-industrialapplicationsatpowerdissipat	IRF International Rectifier	IRF
IRF640	文件：107.08 Kbytes Page：9 Pages	N-CHANNEL200V-0.150ohm-18ATO-220/TO-220FPMESHOVERLAY]MOSFET DESCRIPTION ThispowerMOSFETisdesignedusinghecompany’sconsolidatedstriplayout-basedMESHOVERLAYprocess.Thistechnologymatchesandimprovestheperformancescomparedwithstandardpartsfromvarioussources. ■TYPICALRDS(on)=0.150Ω ■EXTREMELYHIGHdV/dtCAPABILITY ■VERYLOW	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
IRF640	文件：95.09 Kbytes Page：9 Pages	N-channelTrenchMOStransistor GENERALDESCRIPTION N-channel,enhancementmodefield-effectpowertransistorusingTrenchtechnology,intendedforuseinoff-lineswitchedmodepowersupplies,T.V.andcomputermonitorpowersupplies,d.c.tod.c.converters,motorcontrolcircuitsandgeneralpurposeswitchingapplications.	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
IRF640	文件：140.72 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelPowerMOSFETs,18A,150-200V N-ChannelPowerMOSFETs,18A,150-200V	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild

产品属性

产品编号：
ICS-640-T
制造商：
Adam Tech
类别：
连接器，互连器件 > IC 插座
系列：
ICS
包装：
管件
类型：
DIP，0.6"（15.24mm）行距
针位或引脚数（栅格）：
40（2 x 20）
间距 - 配接：
0.100"（2.54mm）
触头表面处理 - 配接：
锡
触头材料 - 配接：
磷青铜
安装类型：
通孔
特性：
开放框架
端接：
焊接
间距 - 柱：
0.100"（2.54mm）
触头表面处理 - 柱：
锡
触头材料 - 柱：
磷青铜
外壳材料：
聚对苯二甲酸丁二酯（PBT），玻璃纤维增强型
工作温度：
-55°C ~ 105°C
描述：
IC SOCKET, DIP, 40P 2.54MM PITCH

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