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HYG080ND03LA1S

Dual N MOSFET(12V~300V)

此器件为 N 沟道、30V耐压、9.5mΩ内阻、SOP8L双通道封装产品,芯片采用Trench工艺设计。该器件抗冲击能力强,适合较低开关频率应用,可满足电机驱动/电池保护/负载开关等应用领域。 优异的Qg\n低输入电容 \n符合RoHS标准                                       \n提升系统效率;

Huayi

华羿微电

HYG080ND03LA1S

丝印:G080ND03L;Package:SOP8L;Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET

文件:878.86 Kbytes 页数:10 Pages

HUAYI

华羿微电

HYIOUGGOMF1P-6SSOE

FBGA

SKHYNIX

HYM8025

SOP14

HAOYU

昊昱微电子

上传:佛山市芯光达科技有限公司

技术参数

  • ID@TC=25℃:

    11

  • RDS(on) Max 10V(mΩ):

    12

  • RDS(on) Max 4.5V(mΩ):

    15

  • PD@TC=25℃ (W):

    2.5

  • Vgs(±V):

    20

  • Vth (V):

    1~3

  • Ciss Typ(pF):

    680

  • Qg Typ(nC):

    14.6

  • Configuration:

    Dual - N

  • Package:

    SOP8L

  • Application:

    电池保护板 / DC-DC / 信号驱动

  • Status:

    MP

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
24+
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62000
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择
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HUAYI/华羿微
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PDFN8L(5x6)
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HY
A2G05LS1N
DFN5*6-8L
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HUAYI(华羿微)
25+
DFN-8(5.2x5.9)
500000
源自原厂成本,高价回收工厂呆滞
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HUAYI/华羿微
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更多HYG080ND03LA1S供应商 更新时间2026-2-4 11:06:00