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HYG080ND03LA1S中文资料Dual N MOSFET(12V~300V)数据手册Huayi规格书
HYG080ND03LA1S规格书详情
描述 Description
此器件为 N 沟道、30V耐压、9.5mΩ内阻、SOP8L双通道封装产品，芯片采用Trench工艺设计。该器件抗冲击能力强，适合较低开关频率应用，可满足电机驱动/电池保护/负载开关等应用领域。
特性 Features
优异的Qg
低输入电容
符合RoHS标准
提升系统效率
应用 Application
电池保护/负载开关/DC-DC/同步整流
技术参数
- 制造商编号
：HYG080ND03LA1S
- 生产厂家
：Huayi
- ID@TC=25℃
：11
- RDS(on) Max 10V(mΩ)
：12
- RDS(on) Max 4.5V(mΩ)
：15
- PD@TC=25℃ (W)
：2.5
- Vgs(±V)
：20
- Vth (V)
：1~3
- Ciss Typ(pF)
：680
- Qg Typ(nC)
：14.6
- Configuration
：Dual - N
- Package
：SOP8L
- Application
：电池保护板 / DC-DC / 信号驱动
- Status
：MP
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
HUAYI/华羿微 |
25+ |
SOP8L |
5000 |
一级代理 |
询价 | ||
N/A |
23+ |
80000 |
专注配单,只做原装进口现货 |
询价 | |||
HUAYI(华羿微) |
25+ |
DFN-8(5.2x5.9) |
500000 |
源自原厂成本,高价回收工厂呆滞 |
询价 | ||
HY |
25+ |
DFN5*6-8L |
20000 |
原装正品价格优惠,志同道合共谋发展 |
询价 | ||
HUAYI(华羿微) |
2025+ |
SOP-8 |
20876 |
询价 | |||
24+ |
N/A |
62000 |
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择 |
询价 | |||
华羿微 |
23+ |
DFN8L |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 | ||
HY |
2022+ |
BGA |
8000 |
询价 | |||
HY |
25+ |
PDFN8L(5x6) |
10000 |
原厂原装,价格优势 |
询价 | ||
HY |
A2G05LS1N |
DFN5*6-8L |
15 |
询价 |
