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HY5110NA2W	文件：300 bytes Page：1 Pages	场效应管(MOSFET)	HuayiHUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD. 华羿微电华羿微电子股份有限公司
HY57V161610FTP-7	文件：0 bytes Page：0 Pages	HYNIX TSOP-54	HynixHynix Semiconductor 海力士海力士半导体上传：深圳市凌旭科技有限公司
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技术参数

漏源电压(Vdss)：
100V
连续漏极电流(Id)：
295A
功率(Pd)：
500W
阈值电压(Vgs(th)@Id)：
3V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)：
286.5nC@10V
输入电容(Ciss@Vds)：
14.818nF@50V
反向传输电容(Crss@Vds)：
638pF@50V
工作温度：
+175℃@(Tj)

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深圳市亿智腾科技有限公司	HY5110NA2W	HY	21+	TO-247	4	原装现货17377264928微信同号	询价
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更多HY5110NA2W供应商更新时间2025-8-2 8:01:00

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