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HY5110NA2W中文资料场效应管(MOSFET)数据手册Huayi规格书

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厂商型号

HY5110NA2W

功能描述

场效应管(MOSFET)

制造商

Huayi HUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD.

中文名称

华羿微电 华羿微电子股份有限公司

数据手册

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更新时间

2025-9-26 22:59:00

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技术参数

  • 制造商编号

    :HY5110NA2W

  • 生产厂家

    :Huayi

  • 漏源电压(Vdss)

    :100V

  • 连续漏极电流(Id)

    :295A

  • 功率(Pd)

    :500W

  • 阈值电压(Vgs(th)@Id)

    :3V@250uA

  • 栅极电荷(Qg@Vgs)

    :286.5nC@10V

  • 输入电容(Ciss@Vds)

    :14.818nF@50V

  • 反向传输电容(Crss@Vds)

    :638pF@50V

  • 工作温度

    :+175℃@(Tj)

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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